玻璃盖片二次电子发射对高压太阳阵功率损耗的影响的研究.pdfVIP

真空与低温 增刊2 164 VacuumCryogenics 2011年12月 玻璃盖片二次电子发射对高压太阳阵功率损耗的影响研究 汤道坦，柳青，秦晓刚。 陈益峰， 杨生胜， 郑阔海 (兰州空间技术物理研究所，真空低温技术与物理重点实验室，甘肃，兰州，730000) 摘要：高压太阳阵与LEO等离子体相互作用可以造成电池阵的电流泄漏，引起太阳电池阵的功率损耗。本文在分析高压 制二维模拟程序。研究了太阳电池表面玻璃盖片二次电子发射与功率损耗的关系，得到的不同二次电子发射特性下损耗功率和 与工作电压的特性曲线。 关键词：高压太阳阵；--次电子发射；功率损耗 中图分类号：0462．3 文献标识码：A 文章编号：1006—7086(2011)增2-0164一004 1．Z2．031 DoI：lO．3969／j．issn．1006—7086．201 1引言 LEO的航天器和其等离子体环境有一个复杂的相互作用。为了减小和等离子体环境的相互影响，历史 上的太阳阵都工作在30V范围，在这样的工作电压下，航天器设计中有关太阳电池阵电流收集效应问题没 有被考虑。但是，由于航天器功率的增加，为降低能量传输损耗并减小电缆重量，空间太阳阵通常采用较高 的工作电压来实现电源系统的功率提高。这时，处于LEO环境中的高压太阳阵容易通过电流收集作用造成 功率损耗。根据空间太阳电池阵的特殊结构，相对于等离子体电位为正的高压太阳电池阵表面从空间等离 子体中收集电子导致太阳电池偏离最大功率点，其表面裸露导体部分与“冷稠”的等离子体可以形成并联回 路来引起有用功率输出而增加功率损耗【1．21。电流收集效应可以导致高压太阳阵功率损耗，影响太阳电池阵 的使用效率和寿命。 高压太阳阵通过暴露于等离子环境中的金属互连和半导体电池侧面进行电流收集，其本质就是高压导 体和介质组合的复杂系统和等离子体相互作用过程。关于高压导体一介质系统与等离子体相互作用的电流 收集效应国外早在80年代就做了模拟研究【3．4J，研究者们应用PIC方法模拟了高压导体一介质系统中导体附 近的空间电位分布以及导体的收集电流效应。V．A．Davis等人也进行高压太阳电池阵电流收集效应的理论数 值模拟，并把模拟结果应用到PASAPLUS飞行实验数据分析，得到了很好的应用嘲。由于我国对于高压太阳 阵的使用时间较晚，所以对于这方面的研究还处于fl,N,J起步的阶段。 2理论分析 在高压太阳阵工作时，金属互连、玻璃盖片和电池边缘完全暴露在空间等离子体环境中，我们可以认为 太阳阵的暴露金属互联和电池半导体边缘相当于浸入等离子体中的Langmuir探针。根据探针理论，在正偏 置电位作用下，裸露的金属互连以及半导体部分可以从等离子体环境中收集电子电流。公式(1)表明收集电 流与有效收集面积A。和工作电压V之间的关系： L=As eJ_(1+y肌瓦) (1) 厶是空间热电子电流密度。 但是由于高压太阳阵暴露导体附近的介质的二次电子发射影响，导体的收集电流情况会有很大的变化。 收稿日期：201l—09-01． 作者简介：汤道坦(1984一)，男，工程师，从事航天器充放电效应研究。 增刊2 真空与低温 2011年12月 VacuumCr)ogenics 165 当与介质材料相邻的金属表面的偏置电压超过阈值电压时，高压太阳阵表面鞘层的形成和玻璃盖片表面二 次电子发射将引起太阳电池阵局部表面(包括绝缘体)的状态就如同导体的特征，引起在很小的暴露区域上 应主要是通过增加(1)有效的电流收集面积，(2)表面平均电位，来增强电流收集is!。 图I不同偏置电压下的介质表面电流平衡关系：(a)无snapove暾应(b)snapover效应 功率损耗主要是由于太阳电池阵的裸露导体部分与“冷稠”的等离子体形成并联回路来引起有用功率输 出，那么对于功率损耗可以根据下面的公式计算：