SiO-%2c2-单晶在干摩擦条件下摩擦磨损机理的研究.pdfVIP

中国矿业大学学报 V01．28 第28卷专辑 Monograph ofGhina of ()ct．1 1999年10月 Journal University 999 Mining＆Technology SiO：单晶在于摩擦条件下摩擦磨损机理研究‘ 徐洮田军 薛群基 中圈剃学院兰州化学物理研究所周体润滑月=放实验室甘肃兰州730000 电子显微镜对SiO。单晶表面摩擦轨迹的微观结构进行了研究．研究结果表明：在低负荷、千摩擦 条件下，SiO!单晶与Si。N。摩擦时，SiO。单晶的磨损由轻微到严重磨损可分为3个阶段，其磨损 机理为塑性剪切一塑性剪切}磨般磨损一脆性断裂． 关键词SiO。单晶，扫描电镜，摩擦磨损 117．1 中图分类号TH 第一作者简介徐洮，男，1965年生，博士研究生 mm×3 nlfn×20 陶瓷材料具有耐高温、耐磨损、耐腐蚀等优异 切割后，制成尺寸为20 mlTl的薄 性能，故其在汽车工业、化学工业、高温加工技术和 片经抛光后成镜面，其晶面为(112)，硬度为HV一= 航空航天等许多领域得到了越来越广泛的应用．陶 1 550．摩擦对偶试样选用≠smm的Si。N。陶瓷球， 瓷作为摩擦学部件的研究和应用已经成为当前国 其硬度为HV一2450．摩擦实验前．所有样品均在 0 际摩擦学研究的前沿课题之一【1]．前人对陶瓷的摩 丙酮溶剂中超声清洗1 rain，然后用热风吹于． 擦磨损机理进行了不少的研究”“o，但与金属相 摩擦磨损实验是在DF·PM动静摩擦系数精 比，人们对陶瓷的摩擦学行为的认识还不充分．本 密测量仪上进行的．实验采用球盘接触及往复运动 50mm／min，温 文列SiO。单晶与si；N。陶瓷球在干摩擦条件下的方式，法向载荷为0．5N，速度为1 摩擦学特性进行了考察，并用JSM～5600[。V扫描度为室温，相对湿度为40，o一50％．经摩擦后的 电子显徽镜对SiOz单晶表面摩擦轨迹的微观结构 进行了研究，以揭示si0。单晶与si。N；球在于摩擦 其表面的摩擦轨迹的微观形貌进行分析． 条件下的摩擦磨损机理，为进一步用表面改性方法 2结果与讨论 提高陶瓷材料的摩擦学性能奠定f理论基础． 图】，图2分别为在于摩擦条件下si0：单晶与 1实验 Si，N、对磨过程中摩擦系数及磨损量随滑动次数变 实验用si0。单晶由水热法合成．样品经定向 化曲线 0．8 5 ?4 06 l 35