CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理的研究.pdfVIP

CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究 李豫东u，郭旗u，陆妩u，余学峰’一，何承发’? 李茂顺1邡，兰博1，2，3 (1．中国科学院新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐83001l； 2．新疆电子信息材料与器件重点实验室，新疆乌鲁木齐830011； 3．中国科学院研究生院，北京100049) 摘要：为了研究CCD的高能电子辐射损伤机理，对TCD 辐照实验，共选取了两种不同的电子通量，辐照后对器件进行了常温退火实验，实验过程中考察了CCD 受辐照条件下及退火后其光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律，实验 结果表明，CCD受电子辐照后主要产生总剂量电离损伤，在不同通鼍电子辐照下的损伤效应类似于 MOS器件的时间相关效应． 关键字：线阵CCD，电子辐照，不同通量，总剂量电离效应，时间相关效应 1．引言 电荷耦合器件(简称CCD)作为MOS技术的延伸而产生的一。种半导体光电器件。不同于其他半导体 器件以电压或电流作为信号，而是以电荷作为信号，利用电荷包代表信息的非稳态器件。因其体积 小、质量轻、功耗低、量子效率高、动态范围大、寿命长等优良性能I¨，已成为现代空间光学遥感相 机的核心器件，被广泛应用于空间探索、气象观测、军事侦察及预警等方面。宇宙空间存在高能带电 粒子形成天然的辐射环境，工作于空间环境中的CCD会受到各种辐射粒子的威胁产生辐射效应。 种效应，即总剂最电离辐射效应和位移损伤效应15】16】。美国、日本、西欧等国积极开展了CCD受Y射 线、X射线、电子辐照引起的总剂量电离辐射效应研究，以及质子、中子等不同粒子引起的位移损伤 效应研究。国内在CCD的辐射效应研究方面尚处于起步阶段，日前主要采用弋吖辐照及质子辐照研 究器件的总剂量效应与位移损伤，对电子辐照导致的总剂量电离效应研究还很少有报道。 同通量的辐照及其退火实验，得出了CCD不同通量电子辐射损伤的相关结论。 2．CCD的总剂量辐射效应 CCD的光敏单元为MOS电容器结构。总剂量电离辐射在MOS电容器的栅氧化层中产生氧化物陷 537 阱电荷，并引起Si-Si02界面处的界【m岳密度增加，如图IH‘7‘所示。固定正电荷的一4粥引起平坩电 胝的渫移和阐值电压漂移，从I町改娈CCD的工作偏置，减小电荷许目}渫度．界丽态曹度的增血l，导 致CCD表面暗电流密度增大。 l盈，@oo旺ooo ：：：燃然篱；．躞嚣勰“ ■IccD十％W$*∞#mgm*自*t*lm§ 施型的CCD可分为以下三个主要部分：1)输入结构；动电荷转移部分；3)输出检测放大结构。输 入部分是对辐射最敏感的部分。输入结构向CCD势阱注入电荷的数量为Ⅷ： 珐2{(‰瑚” m 式中，vGs：檑源电压；vT：输入橱翊值电压；艮依藏于器件几何参数的常数；n势阱填充的有效 时问。由式(1)可看出，输^结构对栅掠偏置的微小变化极其灵敏。平带电压向负方向漂移最终将引起 n沟道器件的输入饱以及P淘道器件的输^截止：CCD的电荷转移部分对均匀的转移平带电压漂移不 敏感，然而橱与栅问非均匀的平带电压漂移将影响势阱分布．引起对信号电荷捕获陷阱的增加。辅出 部分是辐射损伤影响最小的部分，通常在该部分失效前，输入部分和转移部分已失效。 辐照将使si-si02界面处的界面态密度增加，使器件表面暗电流密度增加。由界面态产生的暗电流 密度为M： 厶=婴(nkTa．Y,)N 2 (3) 式中，m：本征载流子浓度；q：电子电荷；k：玻尔兹曼常数：T：绝对温度；％：电子的俘获截面： v^：电子的平均热速度；Nss：界面态密度(cm。(evr‘)。 3．辐照实验 3．1．实验方法 辐照实验是在中科院新疆理化技术研究所的ELV-8型电子加速器上进行的．采用的电子能量为 1 IMeV，电子加速器的标称能量由中国计量科学研究院用射程法进行了标定。实验中采用