电子束沉积In2O3基W、Mo共掺薄膜及其特性的研究.pdfVIP

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2015-07-27 发布于安徽
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电子束沉积In2O3基W、Mo共掺薄膜及其特性的研究.pdf

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·638· 第十一届中国光伏大会暨展览会会议论文集电子束沉积In203基W、Mo共掺薄膜及其特性研究任世荣1’2 陈新亮h 张存善2 李林娜1 张德坤1 孙建1 耿新华1 赵颖1 (1．南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室，天津300071 2．河北工业大学信息工程学院，天津300130) 摘要 MoO．。掺杂浓度对薄膜的微观结构．光学性能和电学性能的影响。IMw0薄膜的表面形貌呈现“类金字塔” LWn2V-1 加，在共掺量为1．o％时，制得相对较高电子迁移率的薄膜，电子迁移率弘～45．5 s～，电阻率p～3．66 100 ×10叫Qcm，电子的栽流子浓度n-一3．74×1020ClTI～，方块电阻R，～22．880，400～Ium光谱区域内的平均透过率～76％。关键词电子束沉积技术；In203：W()3／M003薄膜；共掺技术；高迁移率 The ofW＆Mo ThinFilms In203 Properties co-Doped GrownElectronBeam by Deposition Ren Chen Cunshan2LiLinnal Shiron912Xinlian91’。Zhang SunJianl XinhualZhao Geng Yin91 (1．InstituteofPhoto-electronicThinFilmDevicesand ofPhoto-electronic Technology＆Tianjinlaboratory Key ThinFilmDevicesand of InformationScienceand laboratoryOpto-electronic Technology＆Key for of 300071 Technology Education，Nankai Ministry University，Tianjin 2．SchoolofInformation of 300130) Technology，Tianjin Engineering，HebeiUniversity and in- Abstract electrical of Structural。opticalprope