反应磁控溅射技术生长W掺杂ZnO(WZO)薄膜及其特性的研究.pdfVIP

第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（硅基薄膜太阳电池） 反应磁控溅射技术生长反应磁控溅射技术生长W 掺杂掺杂 ZnO （（WZO ）薄膜及其特性研究）薄膜及其特性研究 反应磁控溅射技术生长反应磁控溅射技术生长 掺杂掺杂 （（ ））薄膜及其特性研究薄膜及其特性研究 ** ** 张翅，张翅，陈新亮陈新亮 ，王斐，王斐，，黄茜黄茜，，赵颖赵颖，，张晓丹张晓丹，，耿新华耿新华 张翅张翅，，陈新亮陈新亮 ，，王斐王斐，，黄茜黄茜，，赵颖赵颖，，张晓丹张晓丹，，耿新华耿新华 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所；南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室；南开 大学光电信息技术科学教育部重点实验室，天津 300071 摘要：摘要：采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长 W 掺杂 ZnO (ZnO:W ，即WZO)透明导电氧化物（TCO ） 摘要摘要：： 薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响。实验结果表明， WZO 薄膜具有良好的（002 ）晶面择优取向生长，且适当的氧气流量是制备优质WZO 薄膜的关键 因素。WZO 薄膜表面形貌受薄膜结晶质量的影响。当氧气流量为 11.5sccm 时，WZO 薄膜在 -3 2 -1 -1 400-1500nm 透过率达到~87.3% ，方块电阻~43.89 Ω，电阻率~5.12×10 Ωcm，迁移率为21.3cm v s 。 关键词：关键词：反应磁控溅射；ZnO 薄膜；W 掺杂；TCO 薄膜；氧气流量 关键词关键词：： 1 引言1 引言 1 1 引言引言 WZO-TCO 薄膜。 1.1 分标题1.1 分标题 1.1 1.1 分标题分标题 当前，国际上研究 WZO 薄膜的单位主要有南 ZnO 透明导电氧化物薄膜（ZnO-TCO ）是一种 非的非洲激光中心，中国的复旦大学、南开大学和 II-VI 族、直接宽带隙半导体材料，其晶体结构呈现 山东理工大学等。其中，南非B.D. Ngom[14-16]等利 六方纤锌矿结构。同传统的 In O 和 SnO 透明导电 2 3 2 用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上制备的 W 掺杂 薄膜相比，ZnO 基透明导电膜具有廉价，无毒，材 浓度为 1.0wt%的WZO 薄膜，研究了 WZO 薄膜的 料丰富，容易刻蚀以及耐 H 等离子体轰击等优点 结晶性能和表面形貌，以及激光能量对薄膜厚度和 [1-2]，因此，逐渐成为硅基薄膜太阳电池的重要组成 带隙的影响，薄膜在 400-2500nm 范围内平均透过 [3] [4] [5] 部分 。目前，制备ZnO 薄膜通常采用B 、Al 、 率达 87%；随后此研究组又研究了 600℃下脉冲激 Ga[6]等元素掺杂来提高薄膜的导电性能。B3+ 、Al3+ 、 光沉积制备不同掺杂量的 WZO 薄膜结构，表面形 Ga3+均呈正三价，一个掺杂离子进入 ZnO 晶格中替 貌等，文中