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P130
InGaAs／GaAs量子点光电探测器的仿真研究
范梁，盛阳，郭方敏
极化材料与器件教育部重点实验室信息学院
华东师范大学东川路500号
上海，200241，中国
86-21fmguo@ee．ecnu．edu．ca
带有量子点的RCE光探测器因高灵敏探测得到广泛研究。一些研究工作成功获得了65％
一75％的量子效率峰值。11．z随常，制造RCE—PD采取在谐振腔内驻波的峰值位置放置吸收层，象
三明治一样放在两个布拉格反射镜之间。【31但是，DBR反射镜使器件很难抽取光生载流子。14嘤
n-i—n结构光探测器，仍然保留有谐振耦合性质，同时在偏压一1．4V下达到峰值光响应
0．75A／W。
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n+GaAs缓冲层上．30个周期的1／4GaAs／A1As层共同构成了n掺杂的DBR，在DBR的上面是
组成的有源区，最后在顶部由下往上按顺序是50nm未掺杂的GaAs隔离层，3nm厚A认s阻挡
极设为欧姆接触。下电极置于器件底部，同时在顶部的2个上电极之间制作一个80urn宽的窗
口，作为人射光通道。仿真温度设定为室温。
其次，在结构基础上导出平衡态条件下外延方向的器件能带图，如图l所示。图中清楚地显
示了DBR堆栈，QDs有源区，AlAs阻挡层以及费米能级。
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圈1器件外延方向的能带图
最后，要有效模拟QDsRCE—PD，关键是调试出量子点QDs的PL光谱和DBR反射镜谐振
时的驻波图。
图2给出了QDs的PL光谱仿真结果，其中主峰表示量子点的PL谱，左边次峰则表示量子
阱湿层的PL谱。通过调节量子点密度及其与湿层的面积比例，突出了量子点吸收光子的作用，
结果显示量子点主峰值位置在1024nm处，接近小图中实验数据。
【^．f毫I￡’fl‘量：高。op。苗《d8
图2室温下量子点的PL光谱
致谢：本文受国家科技部重大研究项目支持。(2006CB932802，2011CB932903)
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