高频铜箔绕组中最佳气隙设计.pdfVIP

高频铜箔绕组中的最佳气隙设计‘ 檀要 由于趋瓞、邻近、边缭以及其它交流效应，在变压嚣和电感器绕组中通常会号f起高 顿交流．I毒I耗。此外、绕组结构会大大地影响绕组内损耗的分布．通常在磁性器件的磁心中设 置r气隙，以维持高的磁动势(mInf)．由于边缘蠕会引起绕组附加时交流损耗，固此务必注 意减少附妇1损耗。本文将研究气陈设计对所弓I起损耗的影响．特别是将研究并估算三种气隙 的设计，即集总气隙、离散分布气隙和均匀分布气骤．采用一维0-D)分析法和有限元分析法 + 研究r水阿的设计结构。 美蕾胃气隙{殳计铜箔绕组高频交流授耗趋胜和韶碰=艘_应 术语字符H：磁场强度：J：电流密度分布：8：趋肤深度；m电导率；“：磁导率： R。。：归一化的交流电阻 I 引言 使州铜箔导体和多股绞合线已减小了高频变压器和电感器中绕组的损耗。在高频情 况F，趋肤和邻近效应会引起导体绕组内的附加损耗。现已用分析工具和有限元分析技 术估算了附加损耗， 在很多的应用场合，需要气隙来维持高的磁动势(ram0。这会由于气隙的边缘场而引 起绕组的附加损耗。这种绕组的结构和气隙设计会大大影响绕组内损耗的分布。 按照惯例，在磁路中设置单个或集总气隙以维持高的磁动势，并提供附加能量的存 储。由丁I边缘场引起的绕组附加损耗可以通过把绕组设置在离开气隙处的办法来降低。 显然这似乎是是佳的办法，但最近的研究表明，如果设计适当，离散分布气隙与集总气 隙相比可达到更低的绕组损耗【‘121。此外，使用均匀分布气隙的低磁导率磁心材料．可以 政变绕组内的损耗分布。 本文将研究三种气隙的设计以及它们对磁性绕组内损耗分布的影响。这三种设计是 集总气隙设计、离散分布气隙设计和均匀分布气隙没计。虽然所提出的分析结果可用于 变压器锅船绕组和电感器铜箔绕组，但这里只给出电感器设计的例子。 2磁性铜箔绕组的损耗分析 为了研究气隙分布对绕组内所引起损耗的影响。有必要了解绕组结构中的磁场分布。 铜|}古绕组中高频交流电的效应将用一维(1．D)分析工具来分析。 iII Foil +Nasser and Windings”· H．Kutkut M．Divan。“OptimalDesignHigh-Frequency Deepak Air,C,ap EEETransactionsonPower Electronics，V01．13，No 5，September1998，附942～949(梧炳超译，吴东法拉J 一93— 2．1单层绕组 昔磁心周围缠绕的导电微带如图l所示。如果徽带长度比其宽度大得多皿》a)-那么 问题就可以Hj1．D场分析求解p卜嘲。这个问题可通过采用镜象法加以简化，其中磁心的 敛麻可以通过_l{J磁心内镜象铜箔绕组和下式的电流分量来分析。 ，·一竺：型』：a．， (1) H．+l 式中，¨是磁心材料的相对磁导率柳。 图l磁心周围缠绕的撤带导体 幽l的问题可以用直角坐标中的麦克斯韦Oda)【1veII)方程求解n因为电流仅对称住地 在z方向上流动．所以只有非零场分量是x分量。因此，磁场强度H和电流密度J：的微 分方程可以表示为 了d2以=J舌以 (2) 以一舌以 (3’ 式中D为电导率：u为磁导率；5为趋肤深度，其定义为