微细加工与MEMS技术-张庆中-11-刻蚀.ppt

* 第 11 章 刻 蚀 去胶 显影（第 1 次图形转移） 刻蚀（第 2 次图形转移） 选择曝光 对刻蚀的要求 1、适当的刻蚀速率 通常要求刻蚀速率为每分钟几十到几百纳米。 2、刻蚀的均匀性好（片内、片间、批次间） 刻蚀均匀性一般为 。大量或大面积硅片同时刻蚀时，刻蚀速率会减小，这称为刻蚀的 负载效应。 3、选择比大 选择比指对不同材料的刻蚀速率的比值。 4、钻蚀小 5、对硅片的损伤小 6、安全环保 钻蚀（undercut）现象 对刻蚀速率的各向异性的定量描述 式中，RL 和 RV 分别代表横向刻蚀速率和纵向刻蚀速率。 A = 1 表示理想的各向异性，无钻蚀；A = 0 表示各向同性，有严重的钻蚀。 刻蚀技术 湿法 干法 化学刻蚀 电解刻蚀 离子铣刻蚀（物理作用） 等离子体刻蚀（化学作用） 反应离子刻蚀（物理化学作用） 刻蚀技术的种类 与湿法化学刻蚀相比，干法刻蚀对温度不那么敏感，工艺重复性好；有一定的各向异性；等离子体中的颗粒比腐蚀液中的少得多；产生的化学废物也少得多。 11.1 湿法刻蚀 湿法刻蚀是一种纯粹的化学反应过程。 优点 1、应用范围广，适用于几乎所有材料； 2、选择比大，易于光刻胶的掩蔽和刻蚀终点的控制； 3、操作简单，成本低，适宜于大批量加工。 缺点 1、为各向同性腐蚀，容易出现钻蚀； 2、由于液体存在表面张力，不适宜于腐蚀极细的线条； 3、化学反应时往往伴随放热与放气，导致腐蚀不均匀。 常用腐蚀液举例 1、SiO2 腐蚀液 BHF：28 ml HF + 170 ml H2O + 113 g NH4F 2、Si 腐蚀液 Dash etch: 1 ml HF + 3 ml HNO3 + 10 ml CH3COOH Sirtl etch: 1 ml HF + 1 ml CrO3 ( 5 M 水溶液 ) Silver etch: 2 ml HF + 1 ml HNO3 + 2 ml AgNO3（0.65 M 水溶液），（用于检测外延层缺陷） Wright etch: 60 ml HF + 30 ml HNO3 + 60 ml CH3COOH + 60 ml H2O + 30 ml CrO3 ( 1g in 2 ml H2O ) + 2g (CuNO3)23H2O ，（此腐蚀液可长期保存） 3、Si3N4 腐蚀液 HF H3PO4 ( 140oC ~ 200oC ) 4、Al 腐蚀液 4 ml H3PO4 + 1ml HNO3 + 4 ml CH3COOH + 1ml H2O ， （35 nm/min） 0.1M K2Br4O7 + 0.51 M KOH + 0.6 M K3Fe(CN)6 ， （1 ?m/min ，腐蚀时不产生气泡） 5、Au 腐蚀液 王水：3 ml HCl + 1ml HNO3 ，（25 ~ 50 ?m/min） 4g KI +1g I + 40 ml H2O（0.5 ~ 1 ?m/min，不损伤光刻胶） 11.3 干法刻蚀基本分类 等离子体刻蚀（化学作用） 反应离子刻蚀（物理化学作用） 离子铣刻蚀（物理作用） 11.4 等离子体刻蚀 一、等离子体刻蚀机理 在低温等离子体中 ，除了含有电子和离子外，还含有大量处于 激发态的游离基 和 化学性质活泼的中性原子团。正是利用游离基和中性原子团与被刻蚀材料之间的化学反应 ，来达到刻蚀的目的 。对硅基材料的基本刻蚀原理 是用 “ 硅--卤 ” 键代替 “ 硅--硅 ” 键 ，从而产生挥发性的硅卤化合物。 刻蚀硅基材料时的刻蚀气体有 CF4、C2F6 和 SF6 等。其中最常用的是 CF4 。 CF4 本身并不会直接刻蚀硅。等离子体中的高