1-3原子的不规则排列b.ppt

1.3 原子的不规则排列 1．液体金属凝固时形成位错 枝晶生长过程中受温度梯度、浓度梯度、机械振动和杂质影响而产生内应力，使枝晶发生偏转或弯曲，点阵错排。 2．过饱和空位转化成位错 3．局部应力集中形成位错 晶体内部的某些界面和微裂纹附近，由于应力作用使局部区域发生滑移，产生位错。 退火状态金属的位错密度为106~108/cm2。冷加工状态金属的位错密度为1010~1012/cm2，说明位错增殖。 引用最多的位错增殖机制，为F-R源机制（弗兰克-瑞德源），如图 螺型位错AB，位错线段两端固定，在外加切应力作用下变弯并向外扩张，当两端弯出来的线段相互靠近时，C、D两点分别为正、负刃型位错，抵消并形成一闭合位错环和环内一小段弯曲位错线，然后继续。 已知使位错线弯曲至曲率半径为R时所需切应力τ为： 开始R→∞，故使位错弯曲的外加应力τ很小。 当变为半园形时，R=1/2L最小，τ最大 位错运动过程中除遇到其它位错而发生交截外，还可能遇到 晶界，孪晶界，相界等障碍物而产生“塞积”现象。 关于位错塞积现象的讨论： 1）刃位错间相互斥力 2）位错塞积群对位错源的反作用力 此力与塞积群中的位错数目n成正比。 塞积位错达到n后，外加力与塞积群反作用力平衡， 外力不足以开动位错源，这时近似： 式中：τ0为外加分切应力；l为位错源距障碍物的距离；k=（1-v） （注：上式推导见参考书《金属学》，上海交大出版社出版） 可见，n取决于位错源到障碍物的距离l和外加分切应力， l一定时，n与τ0成正比。 经计算，塞积群中任一位错i距障碍物的距离xi（n很大时）为： 反作用力超过一定值时，就会把障碍物“冲垮”，这意味着晶体开始发生 变形。按虚功原理计算该反作用力 在滑移面上运动的某一位错，必与穿过此滑移面上的其它位错（称为“位错林”）相交截，该过程即为“位错交割”。 位错相互交割后，将使位错产生弯折，生成位错折线，这种折线有两种： 割阶：垂直滑移面的折线 扭折：在滑移面上的折线 层错 前面已讨论fcc结构晶体，密排面堆垛顺序为ABCABC…… 以“Δ”表示AB、BC、CA……次序 用“▽”表示相反次序，即BA、CB、AC……， A B C A B C A B A B A 则fcc的正常堆垛顺序为Δ Δ Δ Δ Δ……..，hcp为Δ▽ Δ ▽ 若在fcc中抽走一层C，则 A B C A B ↓ A B C A B C Δ Δ Δ Δ ▽ Δ Δ Δ Δ Δ 插入一层A，则 A B C A B ↓A↓C A B C A B Δ Δ Δ Δ ▽ ▽ Δ Δ Δ Δ Δ 即在“↓”处堆垛顺序发生局部错乱，出现堆垛层错， 前者为抽出型层错，后者为插入型层错， 可见fcc晶体中的层错可看成是嵌入了薄层密排六方结构。 层错是一种晶体缺陷，它破坏了晶体排列的周期性，引起能量升高。 产生单位面积的层错所需能量为“层错能”。 但层错的影响仅表现在次近邻关系，仅引起很少的点阵畸变， 故层错能相对晶界能（~5×10-4J/cm2）很小（如表6-3）， 层错能愈小，出现层错的几率愈大。层错的边界即为不全位错。? 表： 某些金属和合金的层错能 图为fcc晶体的（ ）面，使A层以上原子相对于C层作滑移， 使A→B→C→A→B，此时滑移是不均匀的，滑移中止在晶体内部， 这样就在局部地区形成层错。与完整晶体的交界区为Shockley不全位错。 （1） （2） ，且垂直于位错线，为纯刃型， 也可为纯螺型或混合型 （3）可滑移，不能攀移，即可在具有堆垛层错的{111} 面上滑移，引起层错面的扩散或收缩，但不能离开 层错面。 在fcc晶体中插入或抽走一层（111）面，就会形成堆垛层错。 若插入或抽走的只是一部分，层错与完整晶体边界即所谓 “Frank位错”。插入型弗兰克不全位错叫正弗兰克不全位错， 抽走型叫负弗兰克不全位错。? 1） ，b与层错面和位错线垂直， 故是纯刃型 2）只能攀移，而攀移必须借助原子的扩散，故运动困难， 称为固定位错。 3）不全位错的柏氏矢量亦可通过柏氏回路的方法确定，