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脉冲直流反应磁控溅射制备氧化铌薄膜的性质 邵宇川1，-，易葵1，方明1，张俊超1，2 1中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室， 上海市嘉定区清河路390号，上海201800 2中国科学院研究生院，北京100049 摘要：使用脉冲直流反应磁控溅射在不同基底偏压的条件下$1J鹆：Nb205薄膜。制备过程 为金属Nb靶在纯氧环境中反应完成。使用光谱仪，原子力显微镜，场发射扫描电镜研究了 Nb205薄膜的性质。对Nbz05单层膜进行了激光损伤测试。测试激光脉冲为12ns，波长为 1064rim。结果表明，相对阴极电压而言，基底偏压对薄膜损伤闽值具有很大的影响，基底 偏压为．60V制各的Nb205薄膜损伤阈值最高，达到28．8J／cm2。 words：磁控溅射，氧化铌，损伤阈值，基底偏压 Key Nb205薄膜由于起高折射率，较宽的带宽，优异的化学和热稳定性在现代科技中有很广 泛的应用，例如光波导，气体感应器以及电容器。在众多的Nb205薄膜制备方法中，中频脉 冲磁控溅射因可以减少打弧现象的产生，稳定溅射过程，提高成膜质量而被采用。研究表明 溅射过程参数对Nb205薄膜的光学性质以及微观结构产生很大的影响。本文中，我们主要关 注基底偏压对Nb205薄膜的表面粗糙度以及激光诱导损伤阈值(LIDT)的影响，以得到更好的 过程参数。 制备过程为金属Nb靶在纯氧环境中反应完成。在本组实验过程中，改变基底偏压从0V 至．100V，而其他实验参数不变。并测试了Nb205薄膜的表面形态，微观结构以及损伤阈值。 下面是实验结果。 ￡ C ∞ 至 比 Bias voltage(V) 图1．为不同基底偏压下Nb：05薄膜均方根表面粗糙度。 当基底偏压增加时，基底表面成核台阶提高，成核密度降低，使得核数目降低但体积增 187 人。这一效麻将导致Nb20，薄膜表面糨糙度增加。而另一方面，基底偏压增加时将提高表面 吸附原子的运动能力。较高运动能力的吸附原f易于填充薄膜表面的空穴从而使表面变的光 滑。两方面不同的J赦应导致Nb20s薄膜RMS结果随着基底偏压升高而先升后降的结泉。 一渊。l～ 图2为AFM测试得到的Nb205薄膜微观图像。(a)不加基底偏压 (b)．80V的基底偏压。 一◆√：l一 t呻v柏■HⅥ 圈3为不同基底偏压F得到的损伤蚓值。 8J／cra2。在0V至-60V的范围内，损伤 在基底偏压为．60v是得到最高的损伤阐值为28 姆|值随基底偏压的增加而增加。我们认为遗姓由丁月{离子的轰击程度加强造成的·但是当偏 压增加到．帅v时，损伤I蝴值急剧的F降。考虑到≈0v是得到虽人的表面粗糙度，可以推断 此时Nb-,O，薄膜的表面形态成为影响其损协嘲值的土要因素- 圈4为基底偏压为-60V，FESEM得到的Nb205薄膜切面微观形态 珥千实上，FESEM得到备偏压F的NbzOs薄膜切面微观形态很接近。表明基底偏压对 Nb205薄膜的密度结构影响不夫。 结论：基底偏压对NkOs薄膜的表面粗糙度和损伤闽值均有较人的影响。一80V时得到 8 最大的RMS结果。而-60V时得到昂好的LIDT结果，为28J／cm2。与不加基底偏压的结 2 果(17J／cm2)