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提高XGM6导电性能的研究 王晓英胡黎宁叶凡新 邢台钢铁有限责任公可 摘要：本文从炼钢冶炼环节分析探讨了提高XGM6导电性能的控制W素，研究表明：影响XGM6导电性能的良接 因素有：非金属夹杂物的含鼍极其存在形态、金属品粒度、纯净度、晶格缺陷、枝品偏析。可以通过合理的设计合 金成分、有效的控制夹杂物含量极其存在形态提高XGM6的导电率。 关键词：导电率晶粒度夹杂物晶格缺陷枝晶偏析 XGM6是一种铜包钢丝用钢，经镀铜加工制成一种新型复合材料，代替传统的铜线。铜包钢丝兼 具有铜和钢的特点，具有结构重量轻、导电性能好、机械强度高，高频损耗小等一系列优点，广泛 应用于电力、电子、通讯等行业。因此，要求其原材料具有高的导电率和良好的强韧性。 l、金属导电的理论分析 金属材料的导电是自由电子在外加电场的作用下产生定向移动的结果，自由量子理论给出的金 属电导率的公式如下…： 0=N(E，)e2V，2(／3 (1) 其中N(EF)为费米能级上的电子体积密度：V，2为金属中自由电子的费米速度，一般为105~106m／s； ‘为电子的平均自由运动时间；I=VF2(为导电自由电子的平均自由程。 金属中含有大量的自由电子，体积密度为(1028~1029)111一，它们可以在金属内自由移动，并且可 以受电场影响而导电，因此电子的体积密度不是金属材料导电性能的限制因素。金属的导电性能主 要是由电子的平均自由程决定，从宏观上看金属材料的导电性能取决于晶格场中相邻不规则点之间 的平均距离。 金属电阻的根源是导电电子与品格发生碰撞，从电子的波动观点出发，将碰撞对电子的影响称 作对电子波的散射，相应的将碰撞点称作散射中心。金属材料中存在的合金元素或杂质导致晶格势 场周期性破坏的方式有两类。第一类足金属材料中局部点上原子的位置偏移所致，如空位、半径存 在差别的异类原子、间隙原子引起的畸变、位错线中心部位的原子位置偏移、晶界处原了的位置混 乱以及跨过晶界两侧的周期性的突变；第二类是金属材料中局部点上的势场强度发生变化的结果， 如掺杂有异价原子。 2、研究背景及方法 影响金属导电性的因素很多，其中化学成分和夹杂物是其最基本的因素。前人研究表明，铁中 元素的含量与电阻率有一定的关系…，如图l所示： -}墨摹‘譬uR —一—一 图1铁中元素含量和电阻率的关系 从图1可以看出，当元素含量小于2．O％时，除Cu外，铁的电阻率均随图中所列元素含量的增 加而增加，即导电性能随元素含量的增加而降低。Cu由于其自身具有较高的导电性能，在含量大于 1．096后，可以促进导电率的升高。某些元素当含量大于2．0％后，即成为主要元素后，会在一定程度 上提高合金的导电性能，如Al含量高于60％后，合金的导电性能会随其含量的增加而增加。 XGM6是一种工业纯铁，其各种合金成分的含量均在O．2％以下，前人对此种类型材料导电性能的 研究很少。由金属的导电理论分析得知，金属中的杂质(合金元素或非金属夹杂物)会在金属中形 成电子散射的中心，从而影响金属的导电性能。因此，含有杂质元素越少，金属基体就越纯净，其 导电性能越好；夹杂物含量越少，其导电性能就越高。但是，在实际生产中由于受到原料条件及生 产工艺因素的影响，产品不可能控制到绝对的纯净。在现有生产条件下，通过成分优化，合理控制 某些对导电率提高有利的元素含量，尽可能除掉有害元素或抑制有害元素的不利影响，是改善金属 导电性能的有效途径。另外，尽可能的降低夹杂物含量，合理控制其存在形态，也是提高金属导电 性能的主要内容。 由于2012年至今邢钢XGM6轧制工艺未发生变化，因此本研究排除轧制工艺对其导电率的影响。 提高xGM6的导电性能，在炼钢环节的控制因素为夹杂物和成分的控制，本论文以邢钢2012年1月 ’3月的生产数据为研究对象，研究其微量合金元素及夹杂物对XGM6导电性能的影响。 3、研究结果与分析 粒度、夹杂物等级、导电率等相关检验数据。从表1．可以看出本单位[N]含量的控制水平基本没有发 生变化，均保持在100ppm左右。在此控制水平下，本论文