正确选择CMOS模拟开关.pdfVIP

美信社区： 正确选择 CMOS 模拟开关 摘要：本文概述了模拟开关的基本结构、工作原理和应用范围；定义了导通电阻、平 坦度和电荷注入等与性能密切相关的指标；并对 ESD 保护、故障保护和加载-感应功能等针 对特定应用的特性进行了介绍。 引言 集成模拟开关在 25 年前首次问世以来，常常用作模拟信号与数字控制器的接口。本文 将介绍模拟开关的理论基础及其常见的应用，另外还将讨论校准型多路复用器 (cal-mux)、 故障保护型模拟开关、加载-感应开关等模拟开关的特殊性能。 近几年，集成模拟开关的开关性能有了很大的提高，它们可工作在非常低的电源电压， 具有很小的封装尺寸。无论是性能指标还是特殊功能都可提供多种选择，有经验的设计人员 可以根据具体的应用挑选到理想的开关产品。 标准的模拟开关 CMOS 模拟开关易于使用，这一点已为大多数设计者所公认。但是，需要提醒大家的是： 千万不要轻视模拟开关在某些工程问题中所发挥的作用。现在，许多半导体厂商仍在生产一 些早期的模拟开关，如：CD4066、MAX4066 等，其基本结构如图 1 所示。Maxim 还提供 MAX4610 等与工业标准器件引脚兼容、但性能更优的产品。 图 1. 采用并联 n 沟道和 p 沟道 MOSFET 的典型模拟开关的内部结构 将 n 沟道 MOSFET 与 p 沟道 MOSFET 并联，可使信号在两个方向上同等顺畅地通过。n 沟 道与 p 沟道器件之间承载信号电流的多少由输入与输出电压比决定。由于开关对电流流向不 存在选择问题，因而也没有严格的输入端与输出端之分。两个 MOSFET 在内部反相与同相放 大器控制下导通或断开。这些放大器根据控制信号是 CMOS 或是 TTL 逻辑、以及模拟电源电 压是单或是双，对数字输入信号进行所需的电平转换。 低电阻开关 求出 VIN 在各种电平下的 p 沟道与 n 沟道 MOSFET 导通电阻(RON)的并联值(积除以和)， 可以得到这种并联结构的复合导通电阻特性 (图 2)。这个RON 随 VIN 的变化曲线在不考虑温 美信社区： 度、电源电压和模拟输入电压对 RON 影响的情况下为直线。然而请注意，上述因素会带来负 面效应，将它们降至最小常常是新产品设计的主要目标。见表 1。 图 2. 图 1 中的n 沟道和 p 沟道导通电阻构成一个复合的低值导通电阻 表 1. 低导通电阻开关 RON Suppl RON RDS(O Matc Charge y ICOM(OFF)/ID( Flatne tON/tOF N) h Injecti Volta Pin- Part Number Function OFF) (nA ss F (ns (Ω (Ω on (pC ge Package max) (Ω max) max) max typ) Rang