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1.5 习题解答
1-1 一块本征锗半导体，掺入三价受主杂质硼，浓度为 1.5×1015cm-3,试分别求出 T=300K （27 ℃）、400K
（127℃）时自由电子和空穴热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。
解：T=300K 时，n =1.5 ×1010cm-3N ，因此，p ≈N =1.5 ×1015cm-3 ，n =n2 /p ≈3.84 ×1011cm-3 。由
i a 0 a 0 i 0
于 p n ，故为P 型半导体。
0 o
3 −Eg 0
T=400K 时，ni=AT 2 e 2kT =1.62 ×1015cm-3
由于n N ，因此，必须利用 p =N +n 及 n p =n2 两方程联立求解，经分析计算得知：p =2.5 ×1015cm-3 、
i a 0 a 0 0 0 i 0
15 -3
n0=1.03 ×10 cm ，由于p0 与 n0 近似相等，故为本征半导体。
1-2 一块本征硅半导体，掺入五价元素砷，浓度为 1014cm-3 ，试分别求出 T=300K、500K 时自由电子
和空穴的热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。
解：T=300K 时，n =1.5 ×1010cm-3N ，则n ≈N =1014cm-3
i d 0 d
因此p 2 6 -3
=n /n ≈2.25 ×10 cm 。由于p N ，故为N 型半导体。
0 i 0 0 0
3 −Eg 0
T=500K 时n = AT 2 e 2kT = 3.49 ×1014cm-3 ，由于n 与掺杂浓度N 近似相等，故为本征半导体。
i i d
1-3 在本征硅半导体中，掺入浓度为 5 ×1015cm-3 的受主杂质，试指出T=300K 时所形成的杂质半导体
类型。若再掺入浓度为 1016cm-3 的施主杂质，则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到
T=500K、600K，试分析为何种类型半导体。
解：（1）P 型半导体。
（2 ）由于N N ，故为N 型半导体。且多子 n =N -N =5 ×1015cm-3
d a 0 d a
3 −Eg 0
（3 ）T=500K 时，n = AT 2 e 2kT =3.49 ×1014cm-3n ，为N 型半导体。
i 0
3 −Eg 0
T=600K 时n = AT 2 e 2kT = 4.74 ×1015
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