锑掺杂氧化锡-硅灰石复合粉体de制备与表征.pdfVIP

第 21卷 第 1期 VOI．21 NO．1 2015年 2月 Feb。2015 锑掺杂氧化锡一硅灰石复合粉体的制备与表征 王 栋 ，王彩丽 ，王兆华 (1．太原理Tl大学 矿业工程学 院，山西 太原 030024；2．江西华杰泰矿纤科技有限公司 ，江西 宜春 336400) 摘要 ：为 了改善硅灰石的导电性 。对硅灰石粉体的表面包覆改性进行研 SnO作为一种典型的宽禁带n型半导体 ，被广泛 究；以硅灰石粉为原料 ，四氯化锡和三氯化锑为沉淀包覆剂，采用化学沉 应用于气敏材料 、太 阳能电池等元器件 的生产 1]，但是 淀法制备锑掺杂氧化锡一硅灰 石复合抗静 电材料；研 究不 同工艺条件对 SnO：存在流动性和电学性能较差等问题 。研究表明， 该复合粉体体积 电阻率的影响 ．采用透射电子显微镜、X射线能量 色散 祭 № 谱、白度仪、粒度仪、比表面积仪等进行表征。结果表 明，包覆后硅灰石白 在 SnO：晶体 中掺杂 F、Sb、Mo、In等元素可进一步减 度 由91．7％减 小为9O．5％，中位 粒径 由 l0．81Ixm 增大为 l1．46 m，比表 小SnO 的电阻，显著提高其光学和电学性能口]。在这 中 面积 由1．4068m：／g增大为 3．6532m2／g．体积电阻率由3．36x10 n ·cm 些掺杂氧化物 中锑掺杂氧化锡作为一种新型的抗静 国 阻 减 小为 0．85x10n-am 电功能材料 ，不仅具有 良好 的电学和光学性能，而且 关键词：硅灰石；锑掺杂氧化锡 ；表面改性 ；导电性 粉 克服了传统导电材料成本高 ，易受酸碱腐蚀和机械磨 中图分类号：TQ320．4 文献标志码 ：A 体 损 ．对气候和使用环境要求高等限制 ]。研究表明。可 文章编号 ：1008—5548(2015)O1—0061—05 技 以采用一些价格较低 的矿物材料合成复合导 电粉体 。 术 刚 硅灰石是一种无机针状矿物 ，具有较大的 白度 ，广泛 №PreparationandCharaCterizatiOnOf 应用于塑料等工业 ]。通过在硅灰石粉体表面包覆一 WollastoniteCoatedwithAntimony—doped 层无机改性物可赋予其新的性能，化学沉淀法是制备 TinOxideNano-pafficles 包覆粉体的一种重要的方法[圳。本文 中以三氯化锑 、 四氯化锡为沉淀包覆剂 ，以硅灰石粉体为载体 。采用 WANG Dong ，WANG Caili，WANG Zhaohua 化学沉淀法对硅灰石颗粒进行表面无机包覆粉体改 (1．CollegeofMiningEngineering，TaiyuanUniversityof