CMOS器件X射线和γ射线辐照效应异同性.pdfVIP

OMOS器件X射线与Y射线辐照效应异同性 何承发吾勤之巴维真陈朝阳安金霞 (中国科学院新疆物理研究所乌鲁木齐139信箱830011) 摘要本文简述了研究aIos器件器件在低能X射线和∞CoY射线辐照下阈电压漂尊漂移 的异同性．介绍了低能x射线、Y射线的辐照剂量厦器件闲电压漂移的测试方眭．结 果表明在P管截止这种最劣辐照偏置下，x射线产生的棚电压漂移比‘0coY射线太9倍． 关键词：删oS器件 x射线 Y射线剂量增强 1引言 在航天国防领域中，为了提高电子系统中的集成电路的性能、速度及可靠性， 在器件巷片的制作中引入了重金属工艺，用于金属化层及封装等结构中．器件中的 的这些高原子序数材料在低能x射线的辐照下，会在相邻的低原子序数材料中产 生剂量增强效应，使器件性能严重退化[1】．但是由于X射线辐照装置的能谱、剂 量测量比较困难，通常器件的总剂量辐照效应试验都在6屯oY辐照场中进行．本文 采用Cc伽9六反向器为样品．在中科院高能所同步辐射中心。进行了器件妊能X射 线辐照效应试验．井与60coY射线的结果进行了比较． 2剂量测量 2．1同步辐射光剂量监测 中科院高能所同步辐射中心311k站能够提供能量从n口』～』卯key的连续谱 ● x射线，并提供了准确的能谱．射线强度采用充氧气的电离室在线监测。 本项目将同步辐射中心提供的充气电离室送交中国计量科学研究院标准x射 线辐射场中进行了标定，用该电离室监测了同步辐射辐照累积剂量．标定时赉寸量单 位为空气照射量，必须换算到硅吸收剂量． 辐照时在出束口处加一层厚100微米的铅过滤片，可将10keV以下光子全部 滤除，谱的峰值在40keV左右．由于x射线穿透能力较弱，在计算吸收翘量时还 对器件表面l卯微米的镀金Kovar封装盖进行了衰减修正．如图1所示，将经过』∞ 微米的Kovar材料前后的谱面积积分，并将其比值乘以监测电离室测量翔量，即可 得出器件芯片接收的实际辐照剂量． 即．芯片接收剂量一篇糕纛雾蒿器争×电离室监测结果 96 何承发吾勤之巴维真等：CMOS器件X射线与憎线辐照效应异同性 图l同步辐射原始谱及经过铅、Kovar合金衰减后能谱 2．2”co y射线剂量监测 Y射线的辐照试验在新疆物理研究所ZXI∥SBq优。辐照源进行。该辐射场 及升降源剂量均采用硅量热计进行了标定，标定结果为硅吸收剂量。辐照时选用与 X射线辐照剂量率相当的辐照位置即可． 3 器件参数测试方法 本工作试验样品采用用户提供的CC4069六反相器．x射线辐照试验中只施 加了工作模式偏置。在”coY辐照时将六个反相器分别连接成工作模式、全部管脚 接地及全部管脚开路悬空等三种辐照偏置方式． 其中在工作模式辐照试验中，将三个反相器的输入端接高电平，另三个输入 端接低电平，这样在一次辐照中便可以得到N管导通、截止．P管截止、导通四种 辐照偏置状态． 本工作还进行了器件封装盖面向辐照源及背面衬底面向辐照源两种方向的辐 照试验。 MOSFET的参数测量是在辐照后离线10分钟内完成．测量方法为：在漏源端 压，同时用计算机控制的Keithley619静电计同时采榘器件的栅极电压(Vgs)和漏 源电流(Ids)． 本工作采用对所测I-V曲线进行内插的方法求出MOSFET在各种辐照偏置及辐照方 向时的阈电压(vt)。 4实验结果与讨论 4．1 x射线辐照 4．I．1N沟晶体管 何承发吾勤之巴维真等：CMOS器件X射线与T射线辐照效应异同性 S 善 圈2．N臂闽电压漂移与辐照剂量的关系 N管阈电压漂移与x射线和Y射线辐照齐吐量的关系示于图2。旆加导通偏置 辐照时，正向偏置的作用使N沟们SFET阈电压先是随着辐照剂量的增大向负向漂 移，但辐照剂量从6×102Gy开始，阔电压开始恢复。内正向漂移，产生所谓的 照感生氧化物正电荷引起的，使阈电压负向漂移。在辐照至一定剂量后N沟MOSFET 应辐照产生的受主型界面态开始占主导地位，并且产生速率大于氧化物电荷的累 积，使阈电压开始正