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Ga^s／AIGaAs多量子阱的势垒不对称性 谢东珠， 李洪发． 余晓中，魏永乐， 郭献东 上海航天局第八0三研究所上海200233 究结果。将实验测量值同理论计算结果进行了比较，分析了量子阱势垒的不对称问题。 关键词 量子阱，势垒不对称，红外探测器。 长红外探测器是红外成像制导、夜战武器、气象预报卫星等尖端技术领域的蕈要 器件，在这些领域需要大面积均匀、具有高探测率的长红外探测器。八十年代未以前 的几十年中HgCdTe一直是人们研究的主要对象，但经过几十年的发展，目前仍存在 许多难以克服的困难，如难以做到材料的大面积均匀、表面和界面不稳定、没有很好 匹配的衬底材料、生产的可重复性低、成本昂贵等…。与此相比，在八十年代发展起来 阱宽和Al组份两个参数来改变其探测波长，增加了灵活性，因而得到迅速发展。 1、结构设计、材料生长和性能测试 为了使GaAs／Mx，Ga．。AsQWIP的中心波长在8～129tm大气窗口中，其结构设讨 A， 垒宽Lo=450A，～组份x=028。量子阱的周期数为50，阱巾掺入 成阱宽L。=50 施主杂质si，为了减小界面态只在阱中心30A区域进行掺杂，掺杂浓度为l×10”Si／cm3， 上下电极接触层的掺杂浓度为25×10”Si／cm3，接触层的厚度为1 GaAs／MGaAs gtm。 小时。材料生长后做成探测器，光敏面积为中320Bin，测量了探测器的窆温电阻和低温 T。一V特牲。用光电流谱方法测探测器的吸收谱；探测牢用500K的黑体进行测定。 2、结果与讨论 到中心波长为k=7．63叫1，半高宽FWHM=089。理论上量了阱结构是对称的，界面 Adachil2l 是完美的，因此每个量子阱都是矩形。对C从s／AI。Gao，，As体系我们用Sadao 的能带模型计算出能隙茬为△E=0349eV；导带的带阶AE，／MS，=65％口】，得到量子阱的势 垒高度为Vo=O227eV；根据这一模型的计算结果，量子阱的中心波长为842Ittm，属 于束缚态到准连续态的跃迁(即B，Qc)。理论汁算值与实际测量值有一定的差异，产 生这一差异的原因可能有：模型和体材料参数的误差；生长的实际结构(阱宽和Al组 份)与理论设计结构有偏离；由于量子阱两边的势垒不对称【4j，其实际子能带能量与根 据矩形量子阱模型计算的结果有…定的差异。 室温下探测器的电阻为30f2，卜。v曲线表明金属电极和接触层之问的势垒基本消 除，AuGeNi合金电极和GaAsn+掺杂层之『嘲达到欧姆接触，说明电极的合金化工艺很 好。77K低温下探测器的暗电流随所加偏压的关系(即I，．一v曲线]如图2所示，卜 电极为正时表示正偏压。从图2可以看出加正偏压和负偏压时暗电流的变化是不对称 的，正偏压暗电流比负偏压暗电流大，并其．实际探测器的暗电流随偏压的变化比理论 上暗电流随偏压的变化快。我们认为这是实际昔予阱结构不对称的结果。 现象，并且Ga的解吸附速率与生长过程中V／Ill挨元素束流比有关I4I。我们在生长 束流比为30，而生长AIGaAs时As、(Ga+AI)的束流比为30／(1+033)。由于在GaAs 层上生长AIGaAs势垒层时V／IlI元素柬流比减速小，Al源快门刚开起时Ga的解吸附 速率增大，然后逐渐减小到AIGaAs的稳定值，这就使得界面处的A1组份增大；而在 AIGaAs层上生长GaAs阱层时情况正则好相反。因此其量子阱势垒不是对称的，如图 3是量子阱导带结构的示意图。显然具有这种结构的量子阱其l。一V曲线是不对称的。 探测率的测量是用500K的黑体进行的，以450角斜入射，在所用实验条件下其探 7×10。cmHzl／2W～。用这一探测器对室温目标得到了清晰的红外图像。 测率为D。。+=5 3、结论 由以上分析讨论可以得出结沧，在GaAs／AIG“As量子阱材料生长过程中由于Ga 在量子阱两个界面的解吸附速率不同使得量子阱两边的势垒不对称，从而改变了阱内 子带能级和中心波长，并且导致暗电流随正负偏压变化的不对称。 参考文献 l BF．Levine、J