MOS电容的热载流子损伤及和电离辐射损伤的关系.pdfVIP

Mos审．容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系 任迪远余学峰艾尔肯张国强陆妩郭旗范隆严荣良 (中科院新疆物理研究所830011) 摘要 本文通过对国产加固N型哟S电容进行衬底热电子高场注入(s睢)及Y总剂量 辐照实验。特别是进行总；f|I量辐射损伤后的热载子损伤叠加实验，从微观氧化物电荷、 界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究比较了帅s结构热载子损伤特 性及与电离辐射损伤的关系． 关键词-06结构热载子电离辐射损伤氧化物电荷界面态 1．引言 自从MOS电路问世以来。其制造工艺水平一直在不断飞速发展，具体表现在规 模越来越大而单元电路尺寸却越来越小。目前微米器件已很普及，亚微米器件也并 不罕见，并以飞快的速度向纳米级器件迈进。但随着器件尺寸的不断减小也带来一 些可靠性方面的问题。其中热载流子损伤问题最为严重，目前已成为微米、亚微米 vLSI器件急需解决的可靠性问题． 已有研究表明．Mos器件的热载子损伤将导致器件的跨道、阈电压、衬底电 流，以及栅极电流的退化．众所周知，这些参数同样也受电离辐射的影响，由此产 生的一个重要问题是：器件的总剂量辐射损伤与热载予损伤是番具有，以及在何种 掰宣具有一定的相关性。 有关短沟薄橱矾0s器件的热载子损伤与总剂量辐射损伤的相关性研究，是目前 国际上的研究热点之一。目前虽然认为两种损伤都是由于电离辐射或热载子注入在 器f牛Si／SiOz界面感生的氧化物电荷和界面态引起的，大部分研究结果也认为两者在 ▲ 很多领域存在一定的相关性，但在热载子感生氧化物电荷和界面态的机制，特别是在 热载子损伤与电离辐射损伤相关性的具体表现和表征上．仍有许多不清楚甚至分歧 的地方。 国内有关短沟薄棚黼器件电路的热载流子损伤效应机理和加固的研究，则还处 于起步阶段．有关这方面的研究报道甚少。 帮量辐照实验，特别是总剂量辐射损伤后的热载子损伤叠加实验，从微观氧化物电 堡迪远余学蜂艾尔肯等：MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐时损伤豹关系 荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了麟结构热载子损 伤特性、机理以及与电离辐射损伤的关系，为抗热载子损伤与电离辐射加固技术提 供了科学依据。 2．样品及实验方法 实验样品为国产铝栅加固N型MOS电容。主要工艺特点是：1000X]中生长80hm 的栅氧化层，900(3的N2气氛中退火，电子束蒸铝．500℃台金退火，电容栅面积为 400ureX400m．每个片芯上各有三个胁嗡电容，用双列直插式管壳和柯饯台金封 装。 在同一批次生产的im(OS电容中．遴选初始参数基本一致的样品分成两部分， 一部分进行s}吲时底热电子注入．样品栅、衬底间具体施加的电场强度为6．9WV／cm, 并随注入时间的增加。涮羹样品的高频和准静态c-v曲线；另一部分进行v总剂量 辐照实验。辐照剂量率为1．67Gy(Si)／s。辐照中样品栅、衬底同时接地，并同样随 辐照累积剂量的增加．测蠡样品的高频和准静态C-VlII线．对部分辐照至1000Gy(Si) 的样品，又进行了SHE实验。实验条件与测试过程与第一部分相同。商朔ic-v曲线在 l岍Z的高频下获得．准静态C_v的扫描速率约为5mv／s． 利用MOS电容的高频“StretchOUt”分离技术及高频一准静态c叫技术，可得 到哟S电容F-N高场注入或辐射感生氧化物电荷密度△Not、中带到强反型区的平均 界面态密度△Nit。及界面态在Si禁带中的能量分布¨川．．． 3．实验结果 图1中的两条曲线分别为实验样品的中带到强反型区的平均界面态密度△Nit 随s胚注入时间及随辐照累积剂量的变化关系。从图l可以看到，随F．N热载子注入 肘阗及辐照累积剂量的增加，△Nit都有所增加，只是增加的幅度有所不同丽已。 图2中的两条曲线分别为实验样品感生氧化物电荷密度△Not随F-N注入时间及 随辐照累积剂量的变化芙系．从图2可以看到，在s强实验中，样品随热载子注入时 间的增加。△Not几乎保持不变，而在总剂量辐照实验中，随辐照累积剂量的增 加，样品的ANot却有所增加．两种损伤特性表显出一定的差异。 由于参照物(S腿注入时间与辐照累积剂量)的不同，我们无法直接从数量上 比较两种不同损伤的实验结果，但可以对比两种损伤在产