MOS晶体管中辐射引起的陷阱正电荷的强压退火.pdfVIP

MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火 姚育娟1张正选1一姜景和1何宝平1罗尹虹1 (1：西北核技术研究所西安710024) (2：西安交通大学西安710049) 摘要 电离辐射在MOS结构的Si02层中建立芷陷I!I}电荷．这些正陷阱电荷在正栅偏压 下迅速减少，这是由于正栅压引起硅村底中的电子向si4层注入，从而与陷阱正电荷 复合。芷栅压退火不仅对N沟MoS结构非常有效。对P沟MOS结构也有一定的影响．本 文给出了正栅压退火的实验结果。并阐明了栅匿退火机理． 关锤词 电离辐射退火 时间依赖响应 引言 为阐明MOS器件的过辐射响应以及发展辐射加固实验方法。充分理解缺陷的 累积和退火行为是十分必要的．人们运用多种方法研究MOS器件辐照后的退火响 应，但大多集中在室温下的时间依赖效应和短时高温退火效应，此时所加的栅压在 +SV和+lOV之间．而对于辐照后。MOS器件在强电场下的退火行为，人们研究 的不多．为了全面理解各种条件下的缺陷退火行为．我们在恒定室温下，对MOS 器件进行了短时强压退火实验。即所加橱压高这+20V，并在传统的缺陷邋火模型 的基础上，解释了MOS器件在强电场下的时间依赖响应． 1实验 实验所用样品为国内生产的加固型MOSFET，干氧氧化温度900C，栅氧化层 厚度为50am．Co一60 Y射线室温辐照，总剂量为5×103Gy(Si)，辐照剂量率为 0．256Gy(Si)／s。辐照期间，Vos=+5 截止，均处于最劣偏置状态。辐照后进行强压退火实验，所加栅压为+20V。每退 火lO分钟进行一次参数测量，总退火时f．q为60分钟。参数测量由HP4156精密 半导体参数分析仪完成。 2实验结果 ．“￡bk‰“《…．．“t。#n 姚育娟张正选姜景和等：MOS晶体管辐照弓德；的陷辨正电藕的强压退火 图l是NMOS晶体管在辐照前，辐照后和退火后转移特性的比较。从图中可 以看出，I—V曲线辐照后严重负向漂移，源于氧化层中高的空穴俘获效率，这可 能与生产工艺中氧化层的高温退火有关，或有可能为调整阈值电压而进行了离子注 蜊 图lNMOS晶体管I—v曲线在辐照前、辐照后及退火后的变化 入．空穴俘获的多，陷fl}}正电荷数量大，致使阈值电压下降，漏电流增大，曲线漂 移严重．零栅压下．管子已开启，增强型管己变成耗尽型． +20V室温强压退火60分钟后，I．v曲线正向回漂，这是由于辐射引起的陷 阱空穴被中和。此时，闽值电压也正向回漂，并已超过辐照前值。从NMOS晶体 管的I—V曲线可以看出．逼火后的亚阈曲线斜率没有恢复到辐照前的状态，这是 由于辐照产生的界面态陷阱电荷的影响，界面态陷阱电荷使亚闰曲线斜率变小．曲 线变缓．强偏压退火只对氧化物陷阱电荷有效。 ．／ 一 ＼llm’ -d∞ m自m ／目嘶 ＼ 一 。＼ ，／“／t ■ⅣE州Ⅲ哟 11准珩虮唧 图2NMOS晶体管△vt。随辐照和 圈3PMOS晶体臂△Vm髓辐照和 退火时间的变化 退火时间的变化 图2中，列出了NMOS晶体管阈值电压在辐照前，辐照后和退火过程中的变 73 ，m—iii；i自i；{i二二‰，。．． 姚育娟张芷选姜景和等：MOS晶体管辐照引起fl勺陷阱正电荷的强压遐火 管，加压20分钟后，阈值电压已超过了辐照前的数值，这是由于