金属等离子体源离子注入及其薄膜沉积.pdfVIP

金属等离子体源离子注入及薄膜沉积 刘斌，杨思泽 中国科学院物理研究所 摘 要 金属等离子体浸没离子注入和沉积(MePIIID)技术是近几年发展起来的一种崭新的材料表 面改性技术．本文报道一金属等离子体源离子注入及薄膜沉积系统(MPSIID)，这一系统除具有 MePlIID的特点外，它还把气体等离子体和金属等离子体结台起来．利用MPSIID系统，我们对 4j号钢表面用氩和铝的等离子体中进行了处理，并利用电化学腐蚀测试、xRD、XPS、AES、SEM 1)45号钢表面的抗腐蚀性能提高了59倍之多： 和TEM等手段对样品进行了分析。分析结果表明t 2)在45号锕表面形成了氮化铝、氧化铝和铝的混和膜：3)薄膜呈现出多层结构，即在表面层的 1500纳米．由氧化铝和氮化铝组成，但以氧化铝为主：在中间层的1500纳米．仍然由氧化铝和氮 化铝组成，但以氮化铝为主：在最下面的4500纳米，则主要为金属铝。 1引 言 研究小组：研制的。起先用于非半导体材料复杂靶样品的注入，但这项技术很侥用于半导体的改性- 近年来把真空弧离子源与PSII结合起来实现了金属等离子体浸没离子注入及薄膜沉积 (MePIIID，技术。3这一技术的出现，使PSII处理发生了质的变化；由于金属等离子体的可凝聚 性．在负高压脉冲关闭期间，金属离子沉积在样品表豇：在负高压脉冲发生期间，金属离子注入到 样品中。通坦调节负高压脉冲的脉宽与弧放电脉宽的关系，可以控制注入和沉积两种效应的大小a 在本文：}]我们将报道一种新的金属等离子体源离子注入及薄膜沉积(MPSIID)系统。这～ 系统的主要创新侄丁把稳态气体等离子体与脉冲盒麓等离子体结合起米。它有如下优点：(1)可同 时进行气体干¨金属离子注八：(2)在负偏压脉冲间隙沉积薄膜．而在负偏压脉冲期间注入离子：(3) 在反应性薄膜沉积中，气体等离子体的存在有助于薄膜化台物的合成。在MFSIID的基础上，针对 氮化铝薄艇的沉积，我们提出丁珲．弧投术，这种技术把等离子体氮化和阴极弧沉积结台起来．是 沉积化台物(如氮化钛、氦化馏、氧化铝等)薄膜的理想手段。 一120一 。铲 2实验装置及方法 脉冲阴极 图1实验装置示意图 图1所示为金属等离子体源离子注入及薄膜沉积系统的示意图。这～系统主要包括灯丝放电装 置、脉冲阴极弧等离子体源以及靶偏压系绕。利用灯丝放电，很容易在l014乇产生一团大体积均匀 等离子体，等离子体管厦约lo“厦I=}_=’。由于气体等离子体的存在，阴极弧等离子体源很容易击穿。 靶偏压系统包括～负高压脉冲电源和～直流电源。负高压脉冲电源可以与脉冲阴极弧等离子体源同 步。在用于薄膜沉积时．靶通常加负直流偏压； 为了有效的沉积氮化铝薄膜．提出了辉一弧技术。它的主要思想是～方面通过阴极弧等离子体 源产生脉冲金属等离子体，一方面在样品上加直流负偏压直至产生辉光放电。这样就把金属的脉冲 沉积和直流等离子体氮化结合起来了。高能氯离子对膜的轰击，非常有利于氮化物的形成。 用辉一弧技术处理了45#钢样品。样品的电化学腐蚀测试是在2％的盐水中进行的，由一台M351 型腐蚀测试系统完成。采用X衍射仪(D／max—RJ3，Cu Ka续)对合成薄膜的物相进行了分析。用 扫描俄歇电子谱仪(PHI一610／SAM)对薄膜表面的化学成分及成分的深度分布进行了分析。用x光 进行观察：并用电于攘亡』微分析(EPMA)测定，薄腹表面的化学成分。 3．实验结果 对45号钢表面沉积的薄膜样品和采经处理的45号钢样品表面的抗腐蚀性自E进行了测试。结 果表口月．薄膜样品的自脚腐蚀【乜侍E…)、约是一63：)rnV，而束经生二理的45号锅样品的E。。。大约是