金属基非晶金刚石薄膜场发射特性的研究.pdfVIP

金属基非晶金刚石薄膜场发射特性研究 首葆青，谢扩军，杨中海，季天仁 f电子科技大学高蛆电子学研兜所，成都．6113054) 摘要：本文采用微波等离子体方法在无氧铜基片上沉积了非晶金目口石薄膜r发现在镉片上沉 积未成膜金刚石颗粒的具有更低的开启电压和较高的发射电流密度．在自制场致发射阵列阴极高真 空测试台上测试到的发射电流2．08mA，发射电流密度100mA／cm2，在发射电流为10uA时的开启 电场仅仅只有2Vlgm，相应的有效功函数≈O．025“。 关键词：塌致发射，非晶金刚石薄膜，真奎微电子．电子源 I引言 场致发射阵列阴极的特点是冷发射、低电压工作、高电流密度、小尺寸等，如将它作为 场致发射平面显示器、加速器和某些高功率微波器件中的电子源．可望大大地提高器件的性 能[Ⅷ。1995年Taxas公司与美国海军实验室合作设计了以场发射阵列阴极作为电子源的感应 输出丁w礅大器研。 通常场致发射阵列阴极是由金属或硅等半导体材料制成的很尖锐的针尖，针尖由集成门 电极环绕，通过—介电薄膜与发射电子的材料绝缘。目前，发射电流密度最大的Mo阴极的最 大发射电流密度1600A／cm2。14]但制作该类阴极需要双向沉积的专用设备，制作工艺要求很 高，帝4作硅微尖阴极可以完全采用现有的fc工艺．但因si导热性差．si针尖表面稳定性差， 影响了FEA的性能．近年来人们一直寻找更稳定的发射材料来代替它。 1 由于金刚石在(11)晶面具有负电亲和势州EA)：相应的功函数为0．01～o．4eVlSJ，同时还 具有发射效率高，热导率高，表面稳定性好等优点。采用金刚石薄膜和类金刚石薄膜作为发 射体．既可以采用微尖结构也可采用平面结构，这就使得制造工艺大为简化Iq。因此，尽管 目前非晶金刚石薄膜场致发射的特性还远未达到Mo和si——FEA的水平+但由于它所具有的 极其良好的发展前景．所以。这类阴极已成为真空微电子学中的一个研究热点【7“一。 2实验 2．1衬底的选择 在场致发射中需要实现金属与宽禁带半导体材料金剐石薄膜的欧姆接触。然而金刚石薄 膜与金属的接触特性是—个比较复杂的问题【1q．同一种金属与搀杂金刚石薄膜、未搀杂金刚 石薄膜的接触特性表现不同，不同的金属与同一种金刚石薄膜样品的接触特性表现也有区 别-造成这种区别的原因是多方面的。这不仅与金属本身、薄膜生长特点有关，还受到金刚 石薄膜的表面形态、晶粒间界及缺陷等多种因素的影响。由于金刚石薄膜表面存在非常丰富 的表面态，由于表面态的屏蔽作用，导致金属，金刚石薄膜之间的Schottkey势垒与金属的功函 数无关。在对半导体金刚石薄膜进行电学性质测量时，一般采用银浆作电极，但对金刚石薄 膜电子器件面言-采用银浆作电极不能满足需要。通常减少接触电阻的有效方法有：(1)重搀 杂，减小势垒宽度： (2)在接触区形成复合中心等。但这些方法都是在硅基片上沉积多晶 (或非晶)金刚石薄膜或搀杂半导体金刚石薄膜后．再蒸、镀或刷上电极，工艺较多，欧姆 !垫 苎二星壹堂皇量兰堂查奎坚窒堡塑一—— 接触的电阻率仍不理想，膜与电极的结合强度也不甚满意。为此．本文研究了直接采用金属 ——无氧铜基片作为沉积金刚石薄膜的衬底，将两道工序台二为一-既减,3．-Tz序，降低成 本，又因为多晶金刚石颗粒生长在铜基片上．铜基片直接作电极，从丽实现了低电阻率欧姆 接触，而且膜与电极的结合强度也非常牢固。 2．2样品的制备 首先将衬底材料无氧铜用金刚石微粉打磨，然后再在甲醇或乙醇中超声处理20mh最 后用甲醇和去离子水漂洗。将已准备好的样品放人反应室。将磁控管振荡产生的微波 (2450MH：)用波导经隔离器、功率监测器和阻抗匹配器导入到石英反应器中，采用无氧铜 片作基板。基板支架由三氧化二铝做成，放在波导管与石英反应器之相交处的中央部分t通 过基板支架吸收微波、加热基板，da输入微波之功率控制其基板温度。在实验中微波的功率 气体，其中甲烷占o．5、5％．其流量为IOOSCCM，边输人混台气体边抽空反应管维持在40乇左 右的工作压强下．导人微波使反应管内气体放电，产生等离子体，调整微波功率控制基板温 度来沉积非晶金刚石薄膜。 四豳 图I是所制备的金刚石薄膜的SEM照片，从理论分析可知，要让所制备的金刚石薄膜具 有较高的发射电流．必须要让