利用高频噪声模拟器测试瞬变干扰吸收器件的响应时间.pdfVIP

电磁兼容论文集 在试验过程中，采用图2的方波对压敏电阻、避雷管、固体放电管进行测试，采用图2的方 波对Tvs管进行测试时，根据INS管型号在低压下进行测试。 (三】响应时间的界定 关于器件响应时间的界定，各种资料有不同的看法，归纳一下，主要有以下几种界定依据： 1．认为器件的动作时间为其响应时闻。 2．认为器件响应后箝落至安全电位时间，安全电位可由被保护设备所能承受的安全电压 确定。 3．对采用箝压原理而言的器件，是器件响应后，基本稳至箝位电压的时间，。 笔者认为，三种说法均有可取之处，但从试验的町比性及响应时间的表意来看，第一种说法 更具有说服力，本文对各器件的分析主要根据第一种说法，对其他两种也有所涉及。 四、测试结果分析 采用上述方法及理论对压敏电阻、避雷管、固体放电管和硅瞬变吸收二：极管Tvs的响应时 间进行定量测试结果和分析介绍如下。 (一)压敏电阻(试品标称压敏电压330V) 在图3所示方波的测试下．其波形如图3所示 图3压敏电阻响应特性 知，其前沿时间即动作时问为14．8ns。我们注意到，相对于测试波形，压敏电阻上的电压波前沿 有所延迟，这和压敏电阻较大的分布电容相关，国外资料显示，对压敏电阻的内芯(可以做到分 布电容尽量小)进行响应时间测量时。其响应时间大约为Ins。由此可见压敏电阻E的分布的 电容对其响应速度的影响相当大。 压敏电阻箝至箝位电压的时间比较长，大约在一百纳秒左右。 我们还注意到这样一个事实，即压敏电阻的箝位电压并不等于其标称的压敏电压。压敏电 压的界定是在压敏电阻上通以规定电流后，如ImA，两端产生的残压降，在不同的使用场合，通 过压敏电阻的电流可能远大于测试电流，这时不能不考虑压敏电阻两端已经抬高的箝位电压刘 设备保护的影响。 利用高频噪声模拟器的方波测试，我们还验证了日本学者关于压敏电阻引脚长短对电压过 冲的影响，试验证明两个引脚多出不足一公分，过冲尖峰电压上升一百伏左右，这在压敏电阻的 227 使用中应 (二) 在图 波形 如下图： 斟4避雷管响应特性 芷前12．8m，其波形表现为测试波形的重复，然后突然击穿，最后残留压降为：二十几伏。 r述显示，避雷管吸收原理虽然是负阻效应，但其1二作机理却和半导体器件有很人差别，这 主要表现在内部导电介质不同，避雷管是通过管内的惰性气体的电离转移大部分的瞬变能量。 因此无分布电容电感的影响，另外，它还有一个其它器件无法比拟的优点，其通流容量擞火，甚 至可用于吸收直击雷。 但其缺点也显If『f易见，在反应速度上的缺陷，导致其上冲电压可冲至冲击电压峰值，在对设 备的防护中．必须考虑到对这一部分能嚣的吸收，因此按惯例避雷管一般用于组合防雷中的一 次保护i (三)固体放电管 在测试的几种样。锆中，尉体放电管的特性值得称道。 固体放电管是基f可控硅(晶闸管)的原理和结构的一种二：端负阻器件，又称晶体浪潮抑制 器，是-种新的瞬变f扰吸收器件，吸收原理和避雷管一样为负阻效应。测试结果直¨下图示： 图5固体放电管响应特性 波形显示，器件在性能E，主要优点有三： 1．在冲击电压作用下，其前沿上冲电压非常低，显示出极强的抑制性能，配台其上升沿时 电磁兼容论文集 —————————————————一—一————————————≈————一一————一 闻一并考虑，可以认为剔除分布电容的影响 固体放电管的响应时间当在】ns以内。 2．其响应时间相当快，其分布电容很小考虑它的分布电容，响应时间当在2ns左右，较气 体放电管快得多。 3·固体放电管的残留压降很低，如图6所示，用2卢宽的方渡观察，残留电压下降至3．75v 犹有未尽之势，这与国外资料公布在3V左毛相吻台，另外，它对电流的吸收能力也相当大，最