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一种多元胞TVS器件及其瞬态热分析 吕舒予郑学仁 华南理T大学麻剧物理系广州五山510641 摘要：瞬态电压抑制器(TVS)流过一个浪涌电流时，器件产牛的功耗会使其发热且温度 升高从而限制了器件吸收浪涌的能力。本文设汁并试制了一种多元胞结构的TVS器件，旨 在降低器件工作时的最高温度并提高其过浪涌能力，』f：介绍了这种新结构的瞬态热分析和 试验的初步结果。 关键词：浪涌，多元胞，瞬态热分析 I 引言 TVS器件(亦称抗电涌器件)闭其响应速度快，抗浪涌能力强，体积小寿命故等优点 而被用于通信设备的保护电路中。众所周知，浪涌电流通常是相当窄的脉冲，峰值很人， 上升速度特别快，当其流过浪涌保护器件时，将产生相肖大的开关功耗，功耗产生的热一 部分通过熟导而散失。另外一部分使器件温度升商。器件温度的升高直接限制器件单位面 积通导浪涌电流的能力。除了尽量降低器件的通态压降f”，采用多元胞器件结构是一种十 分有效的办法。 我们设计了四元胞和九元胞的TVS器件试验结构，是在不增加器件总尺寸的前提下将 传统的单元胞器件划分为多个元胞．以求达到把功耗分散在每个元胞上以降低器件工作时 的最高温度的目的。 Ⅱ结构与原理 闸管P}N2P3N。和反向晶闸管N2P；N．P5组成一个双向晶阐管。本设计首先将单元胞结构做一 个改造，即将P。和P，区做成圆形且使其处于器件的中央．面积是整个器件面积的一半。这 个改变便于在二维方向设计多个元胞的器件结构。本研究首先设计了四元胞和九元胞两种 试验结构，如图2所示。 这种类晶闸管结构的器件在其开通的瞬间，电流集中在P，区或P，区的边缘，所以当 晶闸管的开通时间比瞬态浪涌电流上升的时间短时，器件会在很高di／dtF因电流过分集中 而被损坏Ⅲ，因此我们把P，和P，区设计成圆形并让它们分别处在N：和N。区的中央，以使 ■ 厕 图l(a)单元胞结构TVS器件照片 图1(b)单元胞TVS器件结构图 ‘广东省自熬科学基盘赉助谋篡 -475- 电流从整个圆周流过而起到分散咤，流的作用，则器件的温升均匀，改善了_散热情况。另一 方面，为避免开通时间过长造成功耗增加，还在P，，P，区的圆周外侧增加了限流环，使雪 崩电流集中丁P，N々的结面某处，i}』l速正偏置的建立和器件实现转折开通。多元胞结构中每 个元胞结构都相同，只是将器件划分为网个，九个小单元。 元胞数目的增多明显降低了功耗引起的热集中效应从而有效地降低了器件工作的最高 温度，提高r过浪涌能力。闪为器件的最高温度取决于功耗产生的热与热导数热之间取得 的瞬态热平衡，热集【{1在器件的活跃区域即导值区域，使器件的局部温度升高，而散热只 在器件的边缘发生，尤其硅在一个相当短的时间内，如果器件尺0远大于瞬态熟导的长度， 则散热根本来不及发生．当器件的元胞尺寸接近于瞬态热导的长度时．散热才开始起作用 ㈨。在器件总尺寸不变的条竹t-．增多元胞的数目，就可以增加器件的活跃区域，从而使 功耗分散在每个元胞上，不至r使温升过分集中而限制丁器件抗浪涌的能力。 四元胞 九兀腮 图2多元胞结构的fVS器件照片 Ⅲ热分析 为对器件进行瞬态热分析，首先要建立TVS器件的瞬态热模型，由于器件是轴对称的， 可以二维的模型为基础。本设计中四，九元胞器件的尺寸分别为：1200“m，800Ⅱm，P。和 Pi区的半径分别为：478um，319”m，假设在导通的晶体管内功耗是均匀的，并且总功耗- 即每个元胞各自功耗之和，始终保持一定值，不随元胞的数目而改变。分析单元胞情况， 并由此推论得出多个元胞时的情况。在我们的设计中，P。和Ps区是轴对称的，选P，区表面 圆心为坐标原点，沿着与器件的一个边平行的方向取r轴，温度与0无关，然后在与器件 表面垂窟的方向取z轴，可以得到一个二维的热流方程，如式(1)所示【31。 Kc窘+窘M∽=叩詈 ㈤ 式中，u(r，z，f)是器件在节点(，，：)的瞬时温度；．p