有机溶剂法制备高纯元水三氯化铟研究.pdfVIP

有机溶剂法制备高纯元水三氯化铟研究.pdf

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有机溶剂法制备高纯无水三氯化铟的研究‘ 关鲁雄柏一慧刘立华舒万艮 (中南工业大学化学系长沙410083) 摘要奉文研究了有机溶剂法制备商纯无水三氯化姻的工艺方法,选定了以正丁醇(Bu0H)作有机溶剂。运用正变试 验法及计算机曲翁报合法确定了鼍佳工艺条件,其产率达97.23%,经升华提纯后,纯度达99.99%以上。三氯化■提供了一 j麓有鼓量径。丽用谈法制备蟪无水兰氯化蛔.尚未见道。 关键词无水三氯化锢有机溶剂法芷丁肆脱水配合物 第一作者筒介:关●雄男1947年生,教授。 on of Pure StudyPreparationHighlyAnhyomlnCl3 an Method by Organo“。solvent Bai Gean YihnlLiu Lw,long Llhea母哪myln South UniversityTa‰otogy,Omngsha,410083) (1★partmento,chemistry,Ctntral Abstract Inthispaper。theprincipleand of Rn withthe solvent methoda”studied.m* In03 reacting n—butylalcohol(BuOH)byol-gano—solwat the and amethodof reaetkmconditionsaIe traditional modified determined optimized by orthogo砌metlx)口lby is is of 97.23%.Its notlowerthan99.99%after omaalmtH㈣simulation.m№yidd targetproduct pu6ty has on of offeredafIewwet such is preparationpme l蛾 way highlyanhydrousInCls.WKk sublirnating.It away SOhr. yetreported indium alcohol trichloride,orgal∞一solventmethod,n—butyl Keym删tsanhydmus 1引盲 高纯无承三氯化钢是合成有机铟化台物(如三甲基铟、三乙基捆)的基本原料,也是制备nD薄膜和特 种半导体材料的主要原料Ⅲ,

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