中国的光掩模制造和光刻技术现状和发展趋势.pdfVIP

中国光掩模制造与光刻技术现状与发展趋势 陈宝钦 Tel：010 中国科学院微电子中心北京9819信箱100029 文摘：本文重点介绍我国光掩模制造与光刻技术从萌芽年代直到进入亚微米、深亚微米及纳米 级超微细加工技术年代的发展历程．我国光掩模制造业的布局，对我国微电子技术和微细加工 技术的贡献，与国际制版光刻技术的差距和制版光刻技术的展望。 关键词：光掩模制版光刻发展趋势 正文： 自从1958年世界上出现第一块平面集成电路开始算起，在短短的四十年中，微电子技术以 令世人震惊的速度突飞猛进地发展，创造了人间奇迹。今年早些时候Intel公司已经推出0．25 微米工艺的550E4z的奔腾III微处理器，存储器也比预测提早一年跨进千兆位时代(GBit， 0．18微米工艺技术)，甚至都己研制出运算速度极高的光子计算机芯片。加J二尺寸也从当初数 十微米的加工精度进入现在的深亚微米、百纳米以至纳米级超精细加】：精度，这一切都离不开 光掩模制造技术和光刻技术的进步。 中国制版光刻技术发展历程 我国光掩模制造技术和光刻技术也是伴随着平面工艺技术的诞生逐渐发展起米的。人体上 可以按年代划分成如下几个阶段： 五十年代末，正当国际上研制出世界上第一只平面晶体管和第一块平面集成电路时，我国 已开始制定国家1仁导体科技发展规划，由北京人学等五校联台成立了我国第一个半导体专业， 中国科学院应用物理所成立了我国第一个半导体研究室，标志着我国半导体技术教育和科研开 始起步，那时我国制版光刻还是一个空白。 刚刚跨入A十年代，我国就成立了中国科学院半导体研究所和河北半导体研究所，从此有 了专门研究机构，很快于1964年和1965年也先后成功地研制出硅平面晶体管和砖数字集成电路， 当年是沿用古老传统的照相术，首先在铜版纸上喷涂一层黑漆，_}|j手术刀人工刻图、揭图，采 用大型照相机照相，最早的掩模基片是在玻璃片上涂覆～层感光胶，现涂现用，俗称湿板工艺， 后来研制的乳胶超微粒干板取代了这种原始的湿板]：艺，展早的精缩分步重复装置是用医用显 微镜改造而成的，这就是我国半导体制版业的前身，当时的光刻工艺也是从人Ji对准、真空压 片曝光开始，渐渐研制出了劳动牌光刻机为代表的接触式光刻设备，硅片材料14～2’、制版光 刻精度和特征尺寸为几十微米。此间是以人工为主的制版光刻技术萌芽年代。 到了七十年代我国引进一批可剥离的聚酯红膜的大型刻绘图机、大型照相机和可在超微粒 干版上曝光的e线分步重复精缩机，步进单位10微米，精度1微米，达到了可制造特征线宽尺 寸10b6微米光掩模的能力，基本上采用超微粒乳胶干版投片，接触式光刻，硅片材料2’～3’、 16K DRAM．进入人规模集成电路(LSI)时代。 进入八十年代，我国开始进行光掩模制造业设备人更新，八十年代初分别在长沙和西安建 成了两个铬板生产线，基本上满足r我国光掩模生产中的所川铬极的需求，八十年代中期我国 引进一批高精度光学制版设备，包括fiCA3600F可变光阑隆l形发生器乖13696分步重复精缩机等。 203 这些设备可在超微粒干版上也可在匀胶铬版上曝光，定位精度0．25微米，分辨率优于1．25微米， 以计算机辅助设计制版为主。由于这批高精度光学制版设备的引进，使我国的光掩模制造业形 成了规模，制版能力跨上了一个大台阶，接近了国际光掩模制造水平，也是我国光掩模制造业 的顶盛时期，从1986年我国64KDRAtl研制成功开始标志着我国也进入超犬规模集成电路(VLSI) 和微米级微细加工技术时代。 九十年代， ”八五”规划期间我国开展亚微米集成电路和亚微米加工技术的研究，再次进 2500为代表的投影光刻机，要求制备高集成 入设备更新周期，在这期间我国引进丁一批以ASM 度、高精度”零”缺陷5：1中间掩模版(Reticle)，靠光学制版设备已无法胜任。国内先后又 6A 电子中心和电工所各引进一套日本JEOLJBX II可变矩形束电子束曝光机，1996年上海杜 邦光掩模公司引进了美国ETEC～IEBESIII光栅日描电子束曝光机