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InGaAs／GaAs应变超晶格中量子点的生长 潘 量 庄乾东 曾一平 于 磊 王红梅 李灵霄 孔梅影 (中国科学院半导体研究所材料中心新材料部) 摘要量于点的生长目前一直是一个热门研究问题。本文通过对InGaAs／GaAs 应变超晶格多层量子点材料的透射电镜(1、EM)照片的研究，对应变超晶格中量 子点的成点机制作了一些讨论，认为量子点的形成是应力不断积累而最终弛豫的 结果。 关键词量子点，应变超晶格，应力弛豫，成点机制 ’≮ II’。，!。：1，_×i。-‘，g。f{孽 1引言 由于量于点本身结构的特殊性，即其电子在三个方向上受到限制。所以使量子点材料 具有一系列独特性质，而且在理论上预言其有很好的器件性能“：，所以量子点材料倍受瞩 目“。要获得具有量子效应的器件结构，要求器件结构的横向尺寸小于de—Broglie波长 (GaAs中的为50nm)。因此寻求制作高度均匀性量子点的方法是量子点器件是实用化的关 键。目前，量子点的生长～般采取自组织生长的方法。在所有自组织量子点生长的报道中， 关于成点机制目前有两种观点：一种观点认为是单应变屡中应变弛豫成点’1。另一种观点认 为是超晶格的整体应变弛豫“．即超晶格或多量子阱总厚度超过一定厚度，整体的超晶格就 会一吲弛豫形成量子点。 2试验及样品制备 GaAsCapdopSl 0×1018cm inGazks．／GaAsSqpcdatice×40 Si 】n(；rlAs,lop2．0×10isrm GaAsBuffer】2… 罔1材料结构图 1t0x10”cm ?27 0× GaAs帽层， si的浓度为l，0xlo”CITI，此结构是一个红外探测器的器件材料结构，有很好的应用 性。 3试验结果及讨论 在生长此样品的同时，用高能电子衍射(RHEED)进行原位监测，图2～图4髭三张 在生长40个周期InGaAs／GaAs超晶格时RHEED的照片。 ■l■ 图2牛长GaAs时的圈3开始生长InGaAs时的圈4生长lnGaA,,；结束时的 RHEED照片 RHEED照片 RHEED照片 格失配，此时生长由二维生长向三维生长逐渐转变，RHEED由条状变为断条(见图3)。在 是三维岛状生长，之后长22nmGaAs隔离层，RHEED由点 逐渐恢复成条。在生长每一个周期超晶格中InGaAs应变层 时，均观察到此情况。这说明在生长每一个InGaAs应变层 时，都有应力产生并以岛的形式释放。 进而我们对样品作了透射电镜(TEM)的测试。从此照 片(见图5)中，可以看出有很好的多层量子点结构。不仅 每层的量子点上下对齐，而且均匀性也较好。在图中，开始 的几个圊期未看到量子点的出现，而在这几个周期之后才 开始出现点。这表明量子点的形成不是单屡应变弛豫的原 ■ 因，也不是超品格整体弛豫的结果。因为．如果是，应该在 一开始的几个周期中可观察到点，但是没有。我认为量子点 图5样品透射电镜照片(TEM) 的形成是由于在应变超晶格中，每一应变层都产生应力并 逐层积累，当应力积累到一定厚度后，应变弛豫成点。 4结论 228 律。对单层应变弛豫成点和整体应变弛豫成点提出质疑．并指出超品格或多量于阱中量子 点的形成是多层应力积累而最终弛豫的结果。 参考文献 1 Y．Arakawa·Appl．Phys．L