硅%2f锗%2f硅键合新技术研究.pdfVIP

边缘，表面层位错容易在生长过程中消失， 550aresee。图1(c)反映晶格常数对衍射峰 的影响，由于网吁m受接收光栏的限制， 顶部位错密度比较低。所以外延层的晶体质 即使完整晶体也有一定的峰宽；图中可以看 量得以改善。 出，缓冲层的组分从衬底到外延层几乎线性 4结论． 渐变。比较图1中衍射曲线可以得出结论， 摆动曲线宽化的主要原因是取向分散，是由 延材料，通过生长组分渐变的缓冲层．获得 于骢豫过程中的失配位错形成了咖6曩ic微结 表层应变完全驰豫的生长表面，从而提高了 ‘·构，这与高分辨透射电镜测试中观测到的结 最外层SiC,e材料的晶体质量。IJI-IV／CVI)与 果一致。 I～IBE相比，设备简单，’可实现多片生长， ． 图2是样品2#的双晶x射线测试结易走向工业化，是目前生长锗硅材料最有