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第48卷增刊 原子能科学技术 V01．48，Suppl．
Atomic Scienceand Oct．2014
2014年10月 Energy Technology
EEPROM瞬时剂量率效应实验研究
王桂珍，齐 超，林东生，白小燕，杨善潮，李瑞宾，刘 岩，金晓明
(西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室，陕西西安710024)
摘要：对3种不同容量的EEPROM开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验研究，测量电路的剂量率闩
锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前，利用编程器在EEPROM中全地址写入
55H，加电辐照，测量辐照后的电源电流；辐照后，再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进
行测量。研究结果表明：EEPROM在瞬时辐照下，主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应；在
1．0×109
Gy(Si)／s的高剂量率辐照下，3种电路存储的数据保持完好，未发生变化，存储器的擦除、编程
及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值，并对EEPROM的瞬时剂量率效应特
点进行了分析。
关键词：浮栅器件；EEPROM；剂量率闩锁；闩锁阈值
中圈分类号：TN43；TL99文献标志码：A 文章编号：1000—6931(2014)SO一0727—05
doi：10．7538／yzk．2014．48．SO．0727
Test onTransientDoseRateEffectofEEPROM
Study
WANG Chao，LIN Shan—chao，
Gui—zhen，QI Dong—sheng，BAIXiao—yan，YANG
LIRui-bin，LIU
Yan，JINXiao—ming
Simulationand
(State IntensePulsedRadiation
KeyLaboratoryof Effect，
NorthwestInstituteNuclear 7an710024，China)
of Technology，Xi
rateeffectswerestudiedforthreekindsof elec—
Abstract：Transientdose floating
gate
erasable read memories(EEPROMs)usingQiangguang一1
trically programmableonly
accelerator．Thedoserate characterizationand doserate retention
latel：mp high memory
weretested．Priorto waswrittenwitha 55H．
byte
exposure，each
EEPROMswere on
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