金刚石薄膜及研究及制备情况.ppt

金刚石薄膜的研究与制备情况 方 亮 重庆大学数理学院 2004年4月20日 主要内容 金刚石的结构 金刚石的性质与应用 金刚石薄膜的制备技术 金刚石薄膜当前的研究情况 金刚石的结构 四面体结构. 共价键，键长为1.54A，键角为109028’。 晶格常数为a=3.56A，硅和锗两者分别为a=5.43A和a=5.65A。 共价键是饱和键，具有很强的方向性，结合力强，所以，金刚石晶体具有很高的力学强度和很大的硬度。 金刚石的特性与应用 高硬度(～10000kg/mm2) “Diamond”一词来源于阿拉伯语“d-mas”或希腊语“amas”，意为“不可征服的、不可摧毁的”(unconquerable, invincible)，可制成刀具和耐磨材料，切割非铁合金材料和复合材料；可制成微观外科手术刀等。 高导热率(～20W/cm·K) 是铜的5倍，可制成大功率激光器、集成电路等半导体器件的热沉。 金刚石制备历史的简要回顾 金刚石薄膜制备的特点 在低温低压下利用化学气相沉积CVD技术生长金刚石膜； 含碳化合物和氢气是最主要的原料，前者提供碳源，后者提供原子态的氢，促使更多的碳转变为sp3的金刚石结构，除去未转变为金刚石的其它形态碳(sp2石墨碳或非晶碳、sp1碳)。 金刚石薄膜制备的主要CVD方法 热灯丝CVD(HFCVD)； 微波等离子体CVD(MWPCVD)， 直流等离子体CVD(DC-CVD)， 直流电弧等离子体射流CVD(DC-jet) 电子增强CVD(EACVD)； 磁微波等离子体CVD(ECRCVD)等方法。 其中，热灯丝CVD法(HFCVD)易于生长大面积金刚石膜；微波等离子体法(MWPCVD)易于生长高质量金刚石膜，是两种目前广泛使用且具有发展前途的方法. 热灯丝CVD法（Hot Filament CVD） 典型情况：甲烷和氢气混合作为反应源气体输送到被加热的反应室内，在衬底上方平行地放置有一根或多根依靠通电加热到20000C以上高温的钨丝。 甲烷输运到热钨丝附近被分解，在温度适当控制的衬底表面上沉积金刚石薄膜，沉积速率约为1m/h。 热钨丝的作用：提供热量导致甲烷的分解；加热了衬底，利于金刚石薄膜的沉积。 热灯丝CVD装置示意图 微波等离子体CVD法(Microwave Plasma CVD) 石英管为反应室； 反应气源：甲烷和氢气，反应室的顶部输入； 用于沉积的衬底置于衬底座上，频率为2.45×109Hz的微波在反应室的中部有波导馈入，形成辉光放电区，在衬底上沉积金刚石薄膜。 微波PCVD法生长速率慢，但可制备高品质金刚石薄膜，适合于金刚石膜的外延生长和掺杂等。 微波CVD装置示意图 金刚石薄膜制备的总趋势 基底的多样化。由硅基底逐渐增加到硬质合金(WC类)、钛合金(Ti-6Al-4V 等)、Al2O3、SiC、TiN、Si3N4、Mo、Ni等多种基底上； 形核方法的多样化。 ---划痕法； ---沉积中间层； ---对衬底施加偏压促进形核，已能制备出具有高度定向的织构或异质外延的金刚石膜； 研究内容的深入化和细致化。对金刚石的掺杂、界面、晶形和晶粒大小及缺陷等问题均有研究。 总的来说，目前金刚石膜制备技术水平，基本可以满足金刚石膜在刀具和热沉方面的应用要求。但要实现在电子学和光学方面的应用，还有很多工作要做，尚需较长的时间。 国内外金刚石薄膜研究的主要进展(90年代) 类金刚石DLC 值得说明的是，在大力研究低温低压的亚稳态下制备金刚石技术的同时，还导致发现了一大类相关的材料：“类金刚石”碳(Diamond like carbon:a-C)和“类金刚石”碳氢(Diamond like hydrocarbos:a-C:H )，这也是当今世界新材料研究的热点问题之一。 当前金刚石薄膜的研究重点 制备技术。特别是高速、高质量、大面积均匀生长及N型掺杂技术； 形核与生长机制的研究。目前对形核与长大的机理仍有争议。 应用技术的研究。包括为实现某一领域的应用而引发的相关技术的研究。 金刚石薄膜的最新研究进展 紫外发光的实现 形核和生长机理1 形核和生长机理2 紫外发光的实现 2001年日本的Satoshi Koizumi, Kenji Watanabe, Masataka Hasegawa, and Hisao Kanda，Ultraviolet Emission from a Diamond pn Junction， Science 8 June 2001; 292: 1899-1901 Making Diamond Shine，Science, Vol 292, Issue 5523, 1793 , 8 June 2001 Phillip John，Toward