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杂质的沾污。 (2)：40
2 PeareeandKanmmV 0f
外延片背面的多晶硅能吸除外延层中的 CW C．Pmeeedingthe两咖—“岫on
De‘eetsin
Silicon．1983．83(9)：396
金属杂质，所以能扼制雾缺陷。
3闶靖．陈一等．固体电子学研究与进展，1995，15
参考文献 (3)：293
4闶靖，陈一等．半导体杂志，1995。20(3)：l
l PeareeWandMeMahoaR VaeSei
C G．J Technol。1977．14
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3口年．12
其新进展
陈明琪
(中圃科学院上海冶金所微电子分部，上海200233)
摘要本文综合性地介绍了堤有常见硅外延炉的性能、特点、生产能力等，
-___--●●-一
同时还介绍了国外大直径硅片外延炉的一些新进展。
1引言 2备类外强妒的比较
六十年代我国自行制造过一些简单的外 2．1卧式炉
延炉，基本上是卧式结构，以后逐渐进口了 生产量小，均匀性差，基本淘汰。
许多当时国外先进的外延炉，早期是卧式结 2．2立式炉
1284，
构，以后为立式外延炉，如AMC 典型的有AMC1284、Gimini．C-2)等。
GeIIliIli．1等。近期进口的是生产量较大的筒特点是高频加热，基座是平行板。由于高频
78XX、
式外延炉，其中红外加热的有AMC 感应加热，基座的温度高于硅片温度，硅片
AMC
7700、MOOREKit．2等，中频加热的有 中央温度高于边缘温度，这个特点在外延过
LPE 121MT等。本文对上述炉
561、amu击ep 程中化学反应时，使硅的输运由高温的基座
子的性能优缺点、生产能力等作了比较。近 向较低温度的硅片背面沉积，使硅片背面的
年来国际上大规模及超大规模电路发展迅 杂质不易跑出来，因此外延过程中自掺杂要
速，器件的线条间距越来越细，随之而来的 小一些。但是由于硅片的中央与边缘的温度
器件之间的互相影响(如闭锁效应)也将越 梯度大，因此易产生滑移线，不利于大直径
来越严重，而硅外延片能明显地减少这方面 硅片的外延，一般5
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