从热蒸发多孔氧化硅薄膜表面形貌研究其生长机理-.pdfVIP

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2015-08-01 发布于湖北
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/ 从热蒸发多孔氧化硅薄膜表面形貌研究其生长机理赵丽特等 · · 37 从热蒸发多孔氧化硅薄膜表面形貌研究其生长机理∗ , , , , , , 赵丽特范东华朱慧群罗坚义王忆龙拥兵文铨　　 ( , ) 五邑大学应用物理与材料学院江门 529020 , 。摘要　　薄膜的表面形貌与生长机理相关因此可以通过研究薄膜表面形貌的演变来外推其生长机理利用热 , ( ) ( ) 、蒸发法在硅片上制备了纳米多孔二氧化硅薄膜利用扫描电镜和射线能谱对不同样品的形貌成分 SEM X EDS 。。进行了表征研究发现所制备的薄膜是由线状结构或直立的片状结构所构成的多孔结构利用马拉高尼效应和润 , 。湿理论对薄膜的气液固生长机理和氧化物辅助生长机理进行了探讨 - - 关键词薄膜多孔氧化硅纳米线纳米片生长机理　　　　　　中图分类号: 文献标识码: : / TB321　　 A　　DOI 10.11896 .issn.1005-023X.2015.12.009j Stud on Growth Mechanism from Mor holo of Porous Silica Films y p gy De osited b Thermal Eva oration p y p , , , , , ZHAO Lite FAN Don hua ZHU Hui un LUO Jian i WANG Yi g q y , LONG Yon bin WEN Quan