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项目一 半导体器件基础 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向 电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显 变小。（ ） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 三、写出图T2.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 图T2.3 四、电路如图T2.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？ （2）若T临界饱和，则Rb≈？ 图T2.6 五、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T2.5所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。 表T2.5 管 号 UGS（th）/V US/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 －5 1 3 T2 －4 3 3 10 T3 －4 6 0 5 习 题 2.1 选择合适答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 2.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 2.3 电路如图P2.3所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 图P2.3 2.4 电路如图P2.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 图P2.4 2.5 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 2.6 已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求图P2.6所示电路中电阻R的取值范围。 图P2.6 2.7 在图P2.7所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V， 正向电流在5～15mA时才能正常工作。 试问： （1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R的取值范围是多少？ 图P2.7 2.8 有两只晶体管，一只的β