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新型电力电子器件及其在感应加热电源上的应用
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一,射言
癌应加热是电热的一种好的方式。在交变磁场中置予金属工件,由于电磁感应作用直
接在工件自身产生涡滚茹发热。蓐应加热具有加热时闸短.嫂率商,便于控翩温度,僚证
加热质量,改善劳磅条件,易于组告自动缓生产,因此得到越来越广泛的应用.
感应加热电源按频率燃舟为中藏和商叛电耀。中顿电源又可分为机式电豫和静止变频
不列要求。电子管在此壤段工作时,敌搴低下,寿每短;体积魔大,实酥上也不能使用。
因此.嚣要用新型器件来满足此频段感应加热屯撂开发的藉要。新近发展起来的新一代全
C豫,}10S哪的趋势。其IGBT,SI惟感应加热电源技术顿域已出现升级换代产品。
为设计高效宰,高性健的感瘦加热电豫,应选用合适的电力电子开关嚣件。
二,现代电力电子鼍件的幢健比较
1.IGOT(InsotaredGate Transistor、
Bipolar
{耋的复合婴电力电子器件。它具有像’{0S肿稻祥的导通特性,其通卷压降比礴0S陀T要溉,营
芯定寸只是哟D陋T的30%。IGBT没有二次击穿效应,其门极驱动电嚣与其本身的特性有密
切关系,如开通特性、负截短璐能力及dv/dt珂gf起的硬开通。必须音理设计正负偏置电
匿·过大的正偏置电压会使通态压降下降,负偏置电压增加会使器磐漏极浪涌电流孵显下
降。
GIBT的保护通案是利用过电流讯号封镇门援驱动讯号;利用吸收电路抑制dv/dt及过
电压;检酒嚣件的壳沮所得到的过热讯号使主电路豌闸.
2.S订(StaticInductionTransistor、
静电感应晶体管SIT具有很大的转入阻抗,开关特性好,热稳定性好,抗辐射俄力强,
输出琦率大,不存在二次击穿效应。开通及蓑新时闷均为0.35us,扼允许致目众多的罄件
简苹并联工作.但它有一个致命弱点,就是谴态压降很大.
79
K
3.SI耵I(StaticInductionT}Iyristor)
静电感应昌闸管是一种自控型关斯器件。当阳极电压为零耐,它会像=极臂那样工作
当仃饭兢反f句偏置时,器件被关断且下具有反向阻断能力。它不像ScIc那样的麓发导越型
嚣件,但具韦一些像SIT鄂样髓负向的门慑电畦变化的伏安特性,若去掉门板上的负电压
更I器件便导邋。SITH的关断特性类似:PGTO,郎负的门檄电流是大的。SITI{的dv/‘托.
dj/dt耐量很大,故不存在因重复施加du/dt产生位移电渲导致器件硬开通。SI硼开关建度
帙,通卷压降尚低,悬一种大功率开薏器件。
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4.岍(Mos-ControIThyrisforl
{《。S控科晶闸管Ij口是一种高频大功宰,通态夺降低的电力电子开关譬件。鲦了羌断电
疵增益很大外,其它性能与G1D很相似。MCT的开是遣度可与16BT相比且透态压降低.当葺
值电流超出安全工作区时,淞I景不会被损坏的,只是不荐能用门板来关断面已.敝r有大
的安全工作区,在允许结温范圈内无需吸收电路。旧由负的r了摄脉冲开谭,正的门极脉
冲关断,是一种电压控材型器件。
觏是一种问世不久的景薪璺电力电子器件, 其众多的优越性锯是其它器件所)I可及
的·无疑它将替代目前正在使用的其它器件雨占统治地位,有着广离的应用莳景。
5.新一代器件的性能比较
目前.IGBT、SIT、SI硼及肭处
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