用4π闪烁方法绝对测量-%27109-Cd活度.pdfVIP

第9届垒茸棱电子学与校探澍技术学术年会论文集 Pr鳅IediTIgs 用41r闪烁方法绝对测量109cd活度 姚历农颜素娟 (中国原子能科学研究院，102413) 本文给出了用“(Ls)和‘心I(11)绝对测t埘cd活度的二种简便方法，井对二种方法测量的结果进行 了比较． 美■诃。篼对测量“阿烁计教 1引言 1”cd为一电子俘获衰变棱素，子棱”A988kev激发态具有较大的内转换系数，因而其衰 变特点是具有较大强度的K层x射线(KX)和内转换电子(ce)．“cd在x射线荧光分析上， 特别是黄金成色的分析上有较大的用途．图1和表1给出了“Cd的衰变纲圈和主要棱参数． 衰1 1。a主要棱●敷 棱参鼓 符号 戴位 射墁 蠢量瓜ev强度／“ K俘获比 ^ 仉815 t B8．“ 3I K内转换暴数 11．O l。【 22～26 102 息内转长秉戴 25．t ce 62～88 96．2 1。～ K荧光产囊 叽 “B30 酉l”cd寰变垌图 2原理 ”’cdKx能量较高，而Ce能量相对较低．因而用高气压正比管测量Kx，和用常压4R正比 管测量Ce进行活度绝对测量都是比较困难的．近期曾有撮导用如(PI℃)e—X符合和三管液 闪谱仪方法来绝对测量…cd的活度．但这两种方法在装置和操作上都复杂，不适宜推广，我们 利用单管闪烁谱仪。采甩蜘(LS)和4csI(T1)的方法，绝对测量”Cd的活度，获得较好的结 果．这两种方法简便可靠．便于推广． ’ 2．1 41r(Ls)方法 该方法是将待测源液定量取样，在一定条件下和液体闪烁体均匀混合，在单管闪烁谱仪上 测量ce谱，求得内转换电子峰积分计数‰．扣除本底^后。经纲图校正因子^．谱外推校正 因子，s，死时间校正因子工校正后，便可得到放射性活度A．活度的一般计算公式如下； ^=(，Il一，lb)／(^Ⅳ：) 426 根据给定的核参数，，d取值为o．962，根据我们获得的内转换电子谱，^取值为o．997，由 于多道用活时间获取，t=1． 值得注意的是：由于液体闪烁体本身对光的吸收将影响船量分辨率，因此，为了获得最佳 能量分辨率，要适当选择液闪杯的直径。在保证适当探测效率的条件下，使液体闪烁体的厚度 尽可能小． 2．2 4TrcslC盯)方法 该方法是从源液中定量取一滴源液，滴在一VYNs薄膜上，待干后夹在擦镜纸中卷成一 条状样晶t为了将内转换电子吸收掉。包以质量厚度为～10磁细ll的侣箔，然后量入井墅csI (T1)晶体的井中溯量Kx谱．求得Kx峰的积分计数率嘞和相应的本底计数率，II．按以下公 式计算样品的活度； A；(，ll一^)／(，以，．，√：) ，t为死时问校正因子，多道采用活时间获得数据，f=1． ，‘为CsI(T1)晶体对1。蜘Kx的探测效率。根据参考文献给出的并型探穗器探耐效率计算 的一般公式，代入“Cd的核参数得，I为1．000． ，|为几何校正园子，校正从井口逃逸的Kx，根据井型c8I(Ⅱ)晶体的几何结构得，．一 O．996． ，I为铝箔吸收校正因子，经计算，I=o．970． 正为谱外推校正因子，经解谱得正=o．988． 将以上校正因子值代入公式，便可得到待测样品的活度． 3测量装置 图2 b为井型osI(11)晶体的几何尺寸图． a为4Ⅱ(Ls)和4丌csI(Tl!好仪器框图，图2 圈缸h(Ls)·‘枷(11)装置框图 翟凹 酉2b4∞凸Icll)几何尺寸 4测量结果 4·l 41r(LS)内转电子谱和4