一种工艺简单的太阳电池TCO%2fSiO-%2c2-%2fSi的研究.pdfVIP

一种工艺简单的太阳电池TCO／SiOJSi研究 周之斌 吴万松 王永东 曾为民 陈东孙铁囤 崔容强 (上海交趣大学物理系太阳能研究所，上海200240) 文囊：本文报道了TfX)／Si02／Si，结构为SIS的太阳电池初步研究结果．特赢是，采用的工 艺简单，康价，它们分别是热氧化Si如，常压喷涂(∞)sr如．及丝同印刺电横，重复性较好， 电池开路电压，短路电派分别达520mv，104mA，教率为8％，优化工艺，可塑性能有较大提高． 关键葡：SnO。透明导电膜．sIs结构太阳电池 O引言 太阳电池作为地面能源应用的研究目标之一是简化工艺．降低成本，在异质结中阈插入 一层趣薄绝缘层，构成SIS结构的太阳电池，由于其结构具有明显的简单性，工艺廉价．曾 经一度受到人们的重视，但是制作工艺中控制图难，成品率低，影响其发展[1，2】．目前， 结构，获得该结构的太阳电池的初步光扶性能，实验细节如下： l实验 1．1 P垄硅片上生长si02屠： 将带有绒面的P型0．5Q∞的硅片放入石英烧结炉中，通以氮气，氧气的混台气体， 加热到达B．50℃，持续时间为25mln，在该段时闻内，硅片上生长出一层SiO。绝缘层，厚 度约为20Z{实验中，观察硅片袁葡显淡黄色即可。 1．2^P啪法抗积轴n2导电透明层： 工艺过程是：用sncl‘，NH。F，无水乙醇，和去离子水为原料．按2．5：0．5：3：3重 一层厚约为700A的si％透明导电层，村底加热温度为4SOC，测知该薄膜的方块电阻为10-；15 o／r3，其x一射线掰射潜分析结果如图(1)所示，可知该瑛是以(200)晶向为主的优化 取向结晶膜，故其电学，和光学性质均较好，为N型导电。高度简并半导体薄膜．其导电 一91— 行为如周金一层． 1．3代n，si％／si太阳电池帕材作； 采用丝网印捌工艺，分别在背面印刷，烧结AI背场，^g背电撮和迎光面印刷^g栅电 掇．太阳电池的结构如图0)所示， 未阳竞 ‘ l 哪 忡lL． 1 35 15 5S 65 75 电报 2 e 圈(1)I-射线衍射潜 图(2)TCO／Si啦／si结鞫太阳电池 2 测试及讨论： 由于趣簿氧化硅膜的引入，大大提高了原异质结Sn02／Si的开路电压Voc，电池的性能 获得改善。s102薄层的犀度控制在20i以内，将对电池的短路电流元根大的影响，光生电 流的输运机理为隧道贯穿，由于sn02年Dsi的晶格常数不匹配．si02层的另一种作用是作 (疆^) V∽ 圈(3)埘1．5光照下的I吖特性曲线 缓冲层．可大大减小再面的复合速度，提高光生电流的有效收集率．sn02是高度摘并半导体- 可有效地镇住硅表面费来鲍缓，作为透明窗口层，可让可见光几乎无阻挡享过并进入硅吸收 ● 层，且700^的sn啦又是减反射膜，起到光陷阱作用．目前的I—v性曲线如圈(3)所示． ～92一 从曲线分析可知，串联电阻依然较大，原因是串联电阻的主要部分TCO超薄层的横向电阻依 然较大．影响了电流的收集，这将是今后要进一步解决的问题． 3结论 采用常压喷涂cvD成功制备出优化取向结晶质量优良的sn02透明导电薄膜．并从理论 分析和实验实现了用s．02作为窗口层的SIS太阳电池，获得该结构的太阳电池的性能参数 的初步实验结果．测试和研究正在深入进行中。 参考文献： [1] Fistman，c．，Ghosh，^．K．，andFeng，T．(1979)．S01．Ener