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一种工艺简单的太阳电池TCO%2fSiO-%2c2-%2fSi的研究.pdfVIP

一种工艺简单的太阳电池TCO%2fSiO-%2c2-%2fSi的研究.pdf

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一种工艺简单的太阳电池TCO/SiOJSi研究 周之斌 吴万松 王永东 曾为民 陈东孙铁囤 崔容强 (上海交趣大学物理系太阳能研究所,上海200240) 文囊:本文报道了TfX)/Si02/Si,结构为SIS的太阳电池初步研究结果.特赢是,采用的工 艺简单,康价,它们分别是热氧化Si如,常压喷涂(∞)sr如.及丝同印刺电横,重复性较好, 电池开路电压,短路电派分别达520mv,104mA,教率为8%,优化工艺,可塑性能有较大提高. 关键葡:SnO。透明导电膜.sIs结构太阳电池 O引言 太阳电池作为地面能源应用的研究目标之一是简化工艺.降低成本,在异质结中阈插入 一层趣薄绝缘层,构成SIS结构的太阳电池,由于其结构具有明显的简单性,工艺廉价.曾 经一度受到人们的重视,但是制作工艺中控制图难,成品率低,影响其发展[1,2】.目前, 结构,获得该结构的太阳电池的初步光扶性能,实验细节如下: l实验 1.1 P垄硅片上生长si02屠: 将带有绒面的P型0.5Q∞的硅片放入石英烧结炉中,通以氮气,氧气的混台气体, 加热到达B.50℃,持续时间为25mln,在该段时闻内,硅片上生长出一层SiO。绝缘层,厚 度约为20Z{实验中,观察硅片袁葡显淡黄色即可。 1.2^P啪法抗积轴n2导电透明层: 工艺过程是:用sncl‘,NH。F,无水乙醇,和去离子水为原料.按2.5:0.5:3:3重 一层厚约为700A的si%透明导电层,村底加热温度为4SOC,测知该薄膜的方块电阻为10-;15 o/r3,其x一射线掰射潜分析结果如图(1)所示,可知该瑛是以(200)晶向为主的优化 取向结晶膜,故其电学,和光学性质均较好,为N型导电。高度简并半导体薄膜.其导电 一91— 行为如周金一层. 1.3代n,si%/si太阳电池帕材作; 采用丝网印捌工艺,分别在背面印刷,烧结AI背场,^g背电撮和迎光面印刷^g栅电 掇.太阳电池的结构如图0)所示, 未阳竞 ‘ l 哪 忡lL. 1 35 15 5S 65 75 电报 2 e 圈(1)I-射线衍射潜 图(2)TCO/Si啦/si结鞫太阳电池 2 测试及讨论: 由于趣簿氧化硅膜的引入,大大提高了原异质结Sn02/Si的开路电压Voc,电池的性能 获得改善。s102薄层的犀度控制在20i以内,将对电池的短路电流元根大的影响,光生电 流的输运机理为隧道贯穿,由于sn02年Dsi的晶格常数不匹配.si02层的另一种作用是作 (疆^) V∽ 圈(3)埘1.5光照下的I吖特性曲线 缓冲层.可大大减小再面的复合速度,提高光生电流的有效收集率.sn02是高度摘并半导体- 可有效地镇住硅表面费来鲍缓,作为透明窗口层,可让可见光几乎无阻挡享过并进入硅吸收 ● 层,且700^的sn啦又是减反射膜,起到光陷阱作用.目前的I—v性曲线如圈(3)所示. ~92一 从曲线分析可知,串联电阻依然较大,原因是串联电阻的主要部分TCO超薄层的横向电阻依 然较大.影响了电流的收集,这将是今后要进一步解决的问题. 3结论 采用常压喷涂cvD成功制备出优化取向结晶质量优良的sn02透明导电薄膜.并从理论 分析和实验实现了用s.02作为窗口层的SIS太阳电池,获得该结构的太阳电池的性能参数 的初步实验结果.测试和研究正在深入进行中。 参考文献: [1] Fistman,c.,Ghosh,^.K.,andFeng,T.(1979).S01.Ener

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