Ka频段软基片镶嵌式微带隔离器.pdfVIP

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Ka频段软基片镶嵌式微带隔离器 曾升权冯双久钱汝彪 ■■—1l●●{, 工作单位:电子科技大学磁性工程系 通讯地址:电子科技大学信材学院,邮编:610054 摘要本文叙述了~种新颖的Ka频段微带隔离器,其优点是利用软基片来制成 器件,铁氧体圆片可方便地镶嵌入软基片内.最后,在这种器件结构下,可在大 于2GHz的绝对带宽内获得小于1.2dB的正向损耗和大于20鹕的反向损耗. 1前言 毫米波是当前开发电磁波资源最为活跃的频段,由于该频段具有信息容量大,抗干扰 性能好,多普勒效应灵敏度高,不受恶劣天气影响、能全天候工作等特点,在雷达通讯、 遥测遥感、卫星通信、精密制导等领域中得到了广泛的应用.与此相适应的具有各种功能 5880)镶嵌式铁氧体微带隔离器,在集成电路中起阻抗匹配和去耦作用.因其具有结构新颖、 体积小、重量轻、性能好、便于实现单片混合集成等特点,是现代毫米波整机系统中作微 波电路集成的理想器件,也是在这一技术领域中具有探索性研究的新成果.它的问世和应 用对缩小整机体积、减轻重量、提高和稳定整机的综合能力将有着深远的意义. 2理论依据 软基片镶嵌式微带隔离器的结构如图1所示:由图可见t它实际上是在三端口微带结 型环行器的一个端口上做一匹配负载后而形成的,因此可直接利用铁氧体结环行器理论对 器件进行设计. 我们知道,带线或微带结环行器实 现理想环行时在考虑基模情况下必须满 足的两个环行条件是111121: (1)、频率条件 (】) x1.1=(/a)I.1=1.84 式中x1.1为第一阶贝塞尔函数的第一个 t 正根,k=2矿陋,占。卢矿∥。】2为电磁波 波数,f为电磁波频率,占,为铁氧体的 图1软基片镶嵌式隔离器结构 电容率,£。和∥。分别为真空电容率和 真空磁导率,∥∥=曼二二苎二为有效磁导率,¨和K分别是张量磁导率的对角分量和非对 ∥ 角分量,R为铁氧体圆片的半径. 由磁动力学方程可导出“和K的计算公式如下: ∥:1+粤 (2) 国D一∞ /C:当=——F——_F U)(3) ∞:一∞‘ 式中∞,=y4zM,,∞。=臌,4厕t是铁氧体的饱和磁化强度,耳是内磁场,Y是旋磁 比. (2)、阻抗匹配条件 Y,=Gn=0.74警 (4) h是铁氧体圆片的厚 式中r是器件端121的输入导纳,当为纯实数时即为输入电导GR 度,QL是负载Q,可由等效电路理论导出Ⅲ: r n69 (5) ∥ Q£ 3器件的设计技术 3.1铁氧体样品的选择 铁氧体样品是整个器件的核心,是保证器件具有明显非互易特性的关键.对它的设计 技术主要是合理确定样品的几何参数和电磁参数. 按定义,Q,是自输入端口输入并储存在铁氧体Y结内的能量与输出端口能量的比值, 得4aMs=o.246f,但当考虑损耗后,则有 ’4rcM,=0.2f (6). 如取f=35GHz时,4砸,。=7000Gs(O.7T),然而,至今国内外研制的微波铁氧体材料,其 T, 温度特性较‘好的N晓h铁氧体材料,其电磁参致分别为::4z

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