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射频输入功率对类金刚石薄膜性能的影响 齐海成 ，冯克成 ，杨思泽 (1．鞍山师范学院物理系，辽宁鞍山114007；2．长春理工大学理学院，吉林 长春 130022； 3．中国科学院物理研究所，北京 100080) [摘 要] 为了得到类金刚石薄膜的性质和制备参数之间的对应关系，41用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的(oto)面 上制备了类金刚石薄膜，反应气体是甲烷和氢气的混合气。研究了射频源的输入功率对类金刚石薄膜性能的影响。采用Raman光谱、 X射线光电子能谱、原子力显微镜和纳米压痕仪对薄膜的微观结构、表面形貌、硬度和弹性模量进行了研究，结果表明：制备的薄膜具 有典型的不定型碳的结构特征、薄膜致密均匀，随着入射功率的提高，薄膜的sp含量、硬度以及弹性模量先增加后减小，并且在 lOOW 时达到最大值，在400W时薄膜出现碳化。 【关键词] 类金刚石；射频等离子体；化学气相淀积；x射线光电子能谱 [中图分类号】0484 [文献标识码]A [文章编号]1001—3660(2009)03—