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第七章 金属和半导体的接触 第八章 半导体表面与MIS结构 8.1表面态概念 8.1表面态概念 8.2 表面电场效应 8.2 表面电场效应 8.2 表面电场效应 * 7.1 金属?半导体接触的接触势垒 7.2 金属?半导体接触的整流效应 7.3 欧姆接触 当金属与半导体接触时，有二种物理接触效果： 整流接触——在半导体表面形成了一个接触势垒 (阻挡 层)，和PN结类似，有整流作用。 ——肖特基接触(势垒) ； 欧姆接触——形成没有整流作用的反阻挡层（高电导区）。 等效为一个小电阻（低阻率）。 M N 半导体基体 金属 7.1 金属?半导体接触的接触势垒 周围外部空间 金属的功函数 金属中电子的最高能量 金属体内 金属的功函数（也称逸出功——逃离能） 真空中静止电子的能量 金属功函数表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱，越大，电子越不容易离开金属。 7.1 金属?半导体接触的接触势垒 半导体的功函数 若 N型半导体同一金属紧密接触， WmWs，即 EFm EFN 半导体中电子能量较大—易进入金属—金属带负电—半导体带正电（施主离子 ）—形成空间电荷区（类似PN结）—能带将弯曲—形成势垒—接触电位差—到平衡—费米能级拉平 半导体一侧电子的势垒高度（接触势垒） 金属一侧电子的势垒高度 接触势垒（阻挡层） 界面 7.2 金属?半导体接触的整流效应 平衡时即未加偏压 电子从半导体进入 金属的数目等于 从金属到半导体的 数目 金属加正压 半导体加负压 半导体中势垒降低 打破平衡，出现电子从 半导体到金属净流入 产生正向电流 金属加负压 半导体加正压 半导体中势垒增加 打破平衡，出现电子 从金属到半导体净流入 反向电流 正向时，半导体一边的势垒随外加电压的增加而减小， 反向时金属一边的势垒不随外加电压变化，所以从金属到半导体的 电子流是恒定，出现反向饱和电流 。--整流效应 N型半导体 金属 J - - + E + J 同理，若P型半导体紧密接触金属，功函数 Ws Wm， 接触势垒（阻挡层） 半导体一侧空穴势垒高度 金属一侧空穴的势垒高度 肖特基二极管----利用金-半接触具有整流特性制成的二极管 PN结二极管的电流?电压特性曲线及符号 肖特基二极管的电流?电压特性曲线及符号 导通电压 导通电压 肖特基二极管与PN结二极管有一些不同的特点: 1、肖特基势垒二极管的正向电流，主要是由半导体中的多数载流子进入金属形成的，它是多数载流子器件，载流子不发生积累，具有更好的高频特性。 PN结主要是少子器件，且注入的非平衡载流子会发生积累（电荷存储效应），严重影响PN结高频性能。 正是以上特点，肖特基二极管在高速集成电路、微波技术等许多领域都有很重要的应用。 2、对于同样的使用电流，肖特基二极管有较低的正向导通电压，一般为 0.3 V 左右 。 7.3 欧姆接触（指不产生明显附加阻抗的接触） 如果将N型半导体同功函数较小的金属接触(a)， 或 P型半导体同功函数较大的金属接触(b)， 则在平衡时靠近表面处将形成一个载流子浓度更大的高电导区 ——反阻挡层 反阻挡层： （高电导层） 没有整流作用！ EFm EFN EFm EFP 形成欧姆接触的方法: 1．低势垒接触 一般金属同P型半导体的接触势垒都较低， 如金?P型硅接触势垒约为0.34 eV， 而铂?P型硅形成的势垒只有0.25 eV ; 2．高复合接触 高复合中心将成为高产生中心，使反向电流变得很大，反向的高阻状态就不存在。 3．高掺杂接触 半导体区高掺杂接触的反向阻抗减小; 大部分半导体器件的欧姆接触都采用这种方法。 制造欧姆电极的常用材料 金锌合金、银锌合金、银铋合金、银锰合金、铟、铟锌合金 金锡合金、金硒合金、银合金、锡铝合金、铟 砷化镓 铝、铝镓合金、铝锡合金、金硼镓合金、镍 金锑合金、金砷合金、银铅锑合金、镍、铝 硅 铟、铟铅合金、铟镓合金、金镓合金、金锗合金 锡、锡锑合金、锡砷合金、铅锑合金、铅锑锡合金、金锑合金 锗 P型欧姆接触合金材料 N型欧姆接触合金材料 半导体材料 8.1 表面态概念 8.2 表面电场效应 8.3 MIS结构的C-V特性 8.1.