温度引起的ZnSeZn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层与势垒层的反转.pdfVIP

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2015-08-06 发布于安徽
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温度引起的ZnSeZn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层与势垒层的反转.pdf

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　第 20 卷第 11 期半　导　体　学　报 . 20, . 11 V o l N o 　1999 年 11 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov. , 1999 温度引起的 0. 84 0. 16 超晶 ZnSe Zn M n Se 格中势阱层和势垒层的反转 1 1 1 1 1 2 2 李国华　朱作明　刘南竹　韩和相　汪兆平　王　杰　王　迅 ( 1　中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室　北京　100083) (2　复旦大学应用表面物理国家重点实验室　上海　200433) 摘要　测量了 , 合金和超晶格的 10～ 300 的变温光致 ZnSe Zn M n Se ZnSe Zn M n Se K 0. 84 0. 16 0. 84 0. 16 发光谱. 发现 ZnSe 的带隙在 10K 时比 Zn M n Se 合金的带隙小, 而在 300K 时比合金的带 0. 84 0. 16 隙大. 预计超晶格中在 130 附近会发生势阱层和势垒层的反转. 在 ZnSe Zn M n Se K ZnSe 0. 84 0. 16 Zn M n Se 超晶格中观测到了这种反转但发生在 80K 附近. 超晶格中 Zn M n Se 层的应 0. 84 0. 16 0. 84 0. 16 变可能是反转温度变低的原因. : 7550 , 7340 , 7855 PACC P L 1　引言由于族宽禁带化合物半导体材料在蓝绿光发光和激光器件中的应用前景, 近些年来对这些材料进行了仔细的研究. 在这些材料中, , , 等 Zn 1-