热处理温度和溅射气压对铜薄膜结构和性能影响的研究.pdfVIP

文章编号 ：1672—0121(2012)05—0082—02 热处理温度和溅射气压 对铜薄膜结构和性能影响的研究 蒋立文 ，宋建丽 ，李永堂 ，杜诗文 ，郑光锋 (太原科技大学 材料科学与工程 学 院，山西 太原 030024) 摘要 ：采用射频磁控溅射镀膜法 ，在不 同溅射气压 、不 同热处理 温度下制备 了铜薄膜 ，并利用扫描 电镜 (SEM)和 X射线衍射 (XRD)研 究 了溅射气压和热处理温度对铜 薄膜 结构和性 能 的影响 。结果表 明：热处理前 铜薄膜 的晶粒尺 寸较小且 大小分布不均 ；随着热处理温度 的提高 ，薄膜 的晶粒尺寸逐渐增大 ，表面更加平坦 化 ，而 晶粒之 间的缝 隙呈现先增大再减 小后增大 的趋 势 ，在 400qC时 晶粒排列最 紧密 ，表面最平坦 ；随着溅射 气压 的增高，铜 (111)峰值呈现先增大后减小的趋势 ，当溅射气压为 1．0Pa时铜 的抗 电迁移性最强。 关键词 ：材料实验 ；铜薄膜 ；磁控溅射 ；扫描 电镜 ；X射线衍射 中 图分 类 号 ：TG146．11 文献标 识码 ：A 0 引言 1 实验材 料 、参数和 方法 随着 电子产 品的迅速发展 ，集成 电路器件尺寸 1-1 材料和参数 越来越小 ，集成化要求越来越高 。在超大规模集成 电 铜靶 ：纯度为 99．99％，直径 60mm，厚 3mm；单 路 中单 晶硅衬底和多层布线金属互联结构 的平坦化 晶硅 ：PIO0；靶 距 ：70mm；氩 气 流 量 ：20sccm，纯度 ： 的要求也越来越高 ，而传统 的平坦化技术如选择沉 99．999％；本底真空 ：2．OxlO~Pa；溅射气压 ：0．5～2Pa； 积 、溅射玻璃 SOG、低压 CVD、等离子增强 CVD、热 溅射功率 ：30W。 回流 、淀积一腐蚀一淀积等都 只能提供局部平坦化 。 1．2 实验方 法 目前 ，化学机械抛光 (ChemicalMechanicalPolishing， 采用 FJL56011型超高真空磁控与离子束联合 简称 CMP)由于能够有效兼顾加工表面 的全局和局 溅射设备制备铜薄膜 。首先 ，为了去除黏附在硅基片 部平整度 ，已经成为超大规模集成 电路 中使用最广 上面 的灰尘 、无机物和有机物等 ，用丙酮超声清洗 泛 的平坦化技术 。铜 (Cu)作为金属互联线材料 由于 5min，用去离子水反复冲洗 ，再用无水 乙醇超声清洗 电阻率低 、布线密度 高和抗 电迁移 能力高等优 良性 5min，最后用 电热风吹干 ，并放入相应 的卡槽 中；其 能逐步在超大规模 电路 中取代铝 (A1)；另外 ，近年来 次 ，对磁控室抽真空至 2．Ox10~Pa；最后 ，开始按预定 许多功能性 电子器件如气体传感器 、光 电储存器等 方案镀膜 。 涉及铜材料 的比例也越来越大 l【-2】。在集成 电路 中，铜 实验方案分为两组 ，第一组 ：调整溅射气压为 薄膜 的抛光成为 了一 门很重要 的技术 。铜薄膜 的性 1．0Pa，溅射时 问为 30min，依次制作 6件样 品 ，其 中 能又主要受其微观结构 的影 响如 晶粒尺寸 的大小和 5件 样 品 分 别采 用 真 空管 式 炉做 250~(2、300qC、 排列等 3『-5]。本文主要采用磁控溅射仪器制备一定厚 350℃、4o0℃、450℃热 处理 ，并利 用 SEM 观察 铜薄膜 度 的铜薄膜 ，并采用真空管式炉热处理 ，利用扫描 电 的表面变化 。第二组 ：调整溅射气压依次为 0．5Pa、 镜 (SEM)和 X射线衍射 (XRD)研究溅射气压和热处 1．0Pa、1．5Pa和 2．0Pa，溅射 时 间为 30min，得到 4件 样 品，并 同时通过真空管式炉做 400℃热处理 ，然后