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36 7 Vol. 36 No. 7
第 卷 第 期
2011 年 7 月 HEAT TREATMENT OF METALS July 2011
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表面工程 檴
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殜檴檴檴檴 SiC C
石墨表面化学气相沉积 及 涂层的制备
， ， ，
王春雨 王鑫宇 唐才宇 温广武
( ( ) ， 264209)
哈尔滨工业大学 威海 材料科学与工程学院 山东威海
: C H CH SiCl (MTS) ， C 、SiC 。 X
摘要 以 3 8 和 3 3 为先驱体原料 用化学气相沉积法在石墨基体表面分别制备了 涂层 涂层 采用 射线衍
， 。 ， C H + N
射仪和扫描电镜分析了两种涂层的成分和表面微观形貌 研究了温度和气体流量对涂层微观形貌的影响 结果表明 当 3 8 2
140 L / h ， 1300 ℃ ， C ， 、 ， 160 L / h
流量为 沉积温度为 时 石墨基体表面可获得致密度较高的 涂层 而且涂层比较平整 均匀 而流量为 时
。 MTS + H 60 L / h 、 1100 ℃ SiC ，1300 ℃ SiC
涂层比较粗糙 当 2 流量为 沉积温度 时在石墨基体表面可以形成致密的 涂层 时生长的 晶
， ， 。 MTS-H SiC ，
体形貌发生改变 涂层厚度增加 表面有较多圆形凸起 当 2 气体流量增大可使 涂层晶粒尺寸增大 但大流量易产生涂
。 C SiC ， ;SiC ，
层剥落 采用 和 共沉积涂层作过渡层 涂层与石墨基体界面结合增强 涂层与石墨基体之间存在厚度较大的过渡区域
2 m 。
过渡区域平均厚度约 μ
: (CVD); ;C ;SiC ;
关键词 化学气相沉积 石墨基体 涂层 涂层 显微组织
中图分类号:TB303 文献标志码:A 文章编号:0254-6051
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