第3章 半导体三极管及放大电路基础1.ppt

3.1 半导体三极管 3.1.1 半导体三极管的结构 3.1.2 半导体三极管的电流分配与放大作用 3.1.3 半导体三极管的特性曲线 3.1.4 半导体三极管的主要参数 3.1.5 半导体三极管的型号 3.1.1 半导体三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如下图所示。 它有两种类型:NPN型和PNP型。 图 02.01 两种极性的双极型三极管 3.1.2 半导体三极管的电流分配与放大作用 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。 (1) 发射区向基区注入电子，形成发射极电流IE。 2.半导体三极管的电流分配关系 (1) 三种组态 三极管有三个电极，其中一个可以作为输入, 一个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见图3.2。 (2) 三极管的电流放大系数 对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义: 3.1.3 半导体三极管的特性曲线 这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB=f(vBE)? vCE=const 其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。输入特性曲线的分区：①死区 ②非线性区 ③线性区  (2)输出特性曲线 iC=f(vCE)? iB=const 共发射极接法的输出特性曲线是以iB为参变量的一族特性曲线。 当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0.7 V 集电区收集电子的能力 很弱，iC主要由vCE决定。 图3.5 共发射极接法输出特性曲线 当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE ≥1 V vBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后vCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图3.5 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。 （动画3-2） 输出特性曲线可以分为三个区域: 3.1.4 半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 1. 直流参数 (1) 直流电流放大系数 ① 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const IC = IB ② 共基极直流电流放大系数 极间反向电流 集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。 集电极发射极间反向饱和电流 ICEO ②.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const当ICBO和ICEO很小时，≈?、≈?，可以不加区分。 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用