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第五章 场效应管放大电路 一. 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构： 2. 结型场效应管的工作原理 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 （2）漏源电压对沟道的控制作用 当uGS＞0V时→纵向电场 将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ②uDS与uGS 共同作用 ③输出特性曲线：iD=f(uDS)?uGS=const 转移特性曲线：iD=f(uGS)?uDS=const 3 .场效应管的主要参数 (1) 开启电压UT UT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压时, 场效应管不能导通。 场效应管放大电路的分析 * * 场效应管 工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件，是一种电压控制电流器件(uGS~ iD) 。 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应管（Field Effect Transistor简称FET） 三个电极： g：栅极 d：漏极 s：源极 符号： N沟道 P沟道 N沟道 （1）栅源电压对沟道的控制作用 ②当│uGS│↑时，PN结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄。 ③当│uGS│↑到一定值时 ，沟道会完全合拢。 定义： 夹断电压UP——使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压uGS。 在漏源间加电压uDS ，令uGS =0 ①当uDS=0时， iD=0。 ②uDS↑→iD ↑ ③当uDS ↑，使uGD=UP 时，在靠漏极处夹断——预夹断。 预夹断前， uDS↑→iD ↑。 ④uDS再↑，预夹断点下移。 →靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布。 预夹断后，iD 几乎不随着uDS改变。 （3）栅源电压uGS和漏源电压uDS共同作用 VGS增大，会使id减小 id随着VGS改变 预夹断后： （1）输出特性曲线： iD=f（ uDS ）│uGS=常数 3、 结型场效应三极管的特性曲线 uGS=0V 四个区： 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 一个重要参数——跨导gm： gm=?iD/?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 （2）转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│uDS=常数 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： 二. 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 符号： （1）结构 4个电极：漏极D，源极S，栅极G和 衬底B。 （2）工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 PN结，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 将P区少子电子聚集 ①栅源电压uGS的控制作用 作用 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。 随着vDS的增大，靠近漏极的沟道越来越薄 当vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT 沟道在漏极一端出现预夹断 UT 作uDS=10V的一条转移特性曲线： 2.N沟道耗尽型MOSFET 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 定义： 夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 特点： （2）夹断电压UP UP 是MOS耗尽型和结型FET的参数，当uGS=UP时,漏极电流为零。 （3）饱和漏极电流IDSS MOS耗尽型和结型FET, 当uGS=0时所对应的漏极电流。 （4） 低频跨导gm gm=?iD/?uGS? uDS=const gm反映了栅压对漏极电流的控制