第24章固体中的电子101229.ppt

第25章 固体中的电子 从电子波动性的角度，电子的波长如果远远大于障碍物（正离子）的线度，则正离子对电子波的传播没有什么影响。 电子的波长： 三维无限深势阱：由于电子通常无法逸出表面，金属表面对电子有一个很高的势垒，可近似无限高 1维无限深势阱：能量本征值对应于驻波波长 3维情况： T=0K时，结合Pauli原理和能量最低原理，电子将占据E从0到EF的状态， 温度升高： 绝大部分电子无法通过与晶格离子的碰撞获得能量跃迁到高能级（即被限死了）， 只有Feimi能级附近kT能量范围的电子可以吸收热运动能量而跃迁到上面邻近的空能级。 金属加电场： 所有自由电子都能从电场获得能量和动量，每个电子都不停地离开自己的能级上升或下降，做宏观的定向运动 ◇ 热运动：电子通过无规则碰撞从粒子获得能量，但是上能级不一定空着，所以只有Fermi面附近的电子参与 ★ 加电场：所有自由电子参与，都发生跃迁，并为别的电子腾出位置！ 理想的完整金属晶体：对电子没有任何阻碍，没有电阻 实际金属：由于杂质和缺陷，会和电子发生碰撞而散射电子，电子速度反转，形成电阻 绝缘体： 价带是满带能隙宽 在外电场的作用下, 共有化电子很难接受外电场的能量，形不成电流。 半导体： 在 T=0K时, 为绝缘体 但能隙较窄, 温度升高时, 一部分电子从价带跃迁到导带，形成不满带。具有一定的导电性。 = 3eV~10eV 0.1eV~3.0eV 锂 镁 铜 铝 银 1. 导体（三种情况） 空带 导带 E 某些一价金属，Li … 满带 空带 E 某些二价金属，如:Be, Ca, Mg, Zn, Ba … 导带 空带 E 如:Na, K, Cu, Al, Ag… 3~6eV 绝缘体 价带 2. 绝缘体的能带结构 E 空带 空带 满带 禁带 ΔEg=3～6eV （?Eg ：3～6 eV） 绝缘体在外电场的作用下，共有化电子很难接受外电场的能量，所以形不成电流。从能级图来看，是因为满带与空带间有一个较宽的禁带共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到高能级（空带）上去。当外电场足够强时，共有化电子还能越过禁带跃迁到上面的空带中，使绝缘体被击穿 。 价带 0.1~1.5eV 半导体 3. 半导体的导电机构 本征半导体的能带结构 半导体的禁带宽度ΔEg 很窄（0.1 ～2eV），所以加热、光照、加电场都能把电子从满带激到发空带中去，同时在满带中形成 “空穴”（hole）。 E 空带（导带） 满带 ?Eg=0.1?2eV 禁带 本征（纯净）半导体 T=0K时（绝缘体） 例如半导体 Cd S 满带上的一个电子跃迁到空带后，满带中出现一个带正电的空位，称为 “空穴”。 电子和空穴总是成对出现的。电子和空穴叫本征载流子，它们形成半导体的本征导电性。 当光照 h? ΔEg 时， 可 发 生本征吸收，形成本征光电导。 满 带 空 带 h? ?Eg=2.42eV 例1 要使半导体 Cd S产生本征光电导，求激发电子的光波的波长最大多长？ 解 两种导电机构 （1）电子导电 — 半导体的主要载流子是电子 （2） 空穴导电 — 半导体的主要载流子是空穴 在外电场作用下，电子可以跃迁到空穴上来，这相当于 空穴反向跃迁。 空穴跃迁也形成电流， 这称为空穴导电。 空带 满带 ?Eg 当外电场足够强时，共有化电子还是能越过禁带跃迁到上面的空带中，使半导体击穿。 提高 空穴 三价元素(硼或镓) p 型 n 型 提高 电子 五价元素(砷或磷) 杂质 半导体 差 电子 空穴 无 本征半导体 导电性能 主要载流子 掺有杂质 类型 一、半导体类型 §25.5 杂质半导体 pn结 * 第24章　固体中的电子 §24.1 晶体结构和晶体分类 §24.3 固体的能带 §24.4 绝缘体 导体 半导体 §24.5 杂质半导体 pn结 §24.2 自由电子按能量的分布 固体：晶体、非晶体 晶体：?有规则对称的几何外形； ?物理性质(力、热、电、光、……)各向异性； ?有确定的熔点； ?微观上，分子、原子或离子呈有规则的 周期性排列，形成空间点阵(晶格)。 一、晶体结构 §24.1 晶体结构和晶体分类 面心立方结构 立方结构 在晶体中，原子或离子周期性重复排列，形成晶格，或称为空间点阵。 金刚石 体心立方 二、晶体分类 离子晶体： 正负离子交替排列－离子键 无自由电子，导热导电性差 离子间静电