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第8章 80C51单片机的系统扩展 系统扩展结构如图 8.1 总线的扩展 扩展总线 8.1.2构造系统总线 MCS-51由于受引脚数目的限制,数据线和低8位地址 线复用。 为了将它们分离出来,需要外加地址锁存器,从而 构成与一般CPU相类似的片外三总线 系统总线 8.2 读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器 8.2.1、存储器扩展的读写控制 RAM芯片:读写控制引脚,记为OE和WE ,与MCS-51 的RD和WR相连。 EPROM芯片:只能读出,故只有读出引脚,记为OE , 该引脚与MCS-51的PSEN相连。 8.2.2存储器地址空间分配 MCS-51发出的地址是用来选择某个存储器单元进行读写, 要完成这种功能,必须进行两种选择: “片选”和 “单元选择”。 存储器空间分配除考虑地址线连接外,还讨论各存储器芯片在整个存储空间中所占据的地址范围,常用的存储器地址分配的方法有两种:线性选择法(简称线选法)和地址译码法(简称译码法) 1. 线选法 直接利用系统的高位地址线作为存储器芯片(或I/O接口芯片)的片选信号。 优点:电路简单,不需要地址译码器硬件,体积小, 成本低。 缺点:可寻址的器件数目受到限制,地址空间不连 续,地址不唯一。 例 某一系统,需要外扩8KB的EPROM(2片2732),4KB的RAM(2片6116),这些芯片与MCS-51单片机地址分配有关的地址线连线,电路如下图 2. 译码法 最常用的译码器芯片:74LS138(3-8译码器)74LS139(双2-4译码器)74LS154(4-16译码器)。可根据设计任务的要求,产生片选信号。 全译码:全部高位地址线都参加译码; 部分译码:仅部分高位地址线参加译码。 (1)74LS138(3~8译码器) 引脚如图8-5,译码功能如表8-1(P167)所示。当译码器的输入为某一个固定编码时,其输出只有某一个固定的引脚输出为低电平,其余的为高电平。 ( 2) 74LS139(双2-4译码器) 引脚如下图。真值表如表8-2(P168)所示。 8.3 外部存储器的扩展 8.3.1程序存储器EPROM的扩展 采用只读存储器,非易失性。 (1)掩膜ROM 在制造过程中编程。成本较高,因此只适合于大批量生产。 (2)可编程ROM(PROM) 用独立的编程器写入。但PROM只能写入一次,且不能再修改. (3)EPROM 电信号编程,紫外线擦除的只读存储器芯片。 (4)E2PROM( EEPROM) 电信号编程,电信号擦除的ROM芯片。读写操作与RAM几乎没有什么差别,只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。 (5)Flash ROM 又称闪烁存储器,简称闪存。大有取代E2PROM的趋势 片外ROM操作时序 ROM芯片及其扩展方法 扩展程序存储器时,应尽量用大容量的芯片。 1.常用的EPROM芯片 参数见表8-4(P123)。引脚如下图。 引脚功能如下: A0~A15:地址线引脚。数目决定存储容量来定,用 来进行单元选择。 D7~D0:数据线引脚 CE:片选输入端 OE :输出允许控制端 PGM:编程时,加编程脉冲的输入端 Vpp:编程时,编程电压(+12V或+25V)输入端 Vcc:+5V,芯片的工作电压。 GND:数字地。 RAM扩展原理 数据存储器扩展方法 7.4 LCD接口及其扩展 HD44780 由字符发生器CGROM、自定义字符发生器CGRAM和显示缓冲区DDRAM组成。 CGROM存储了不同的点阵字符图形(表7.9 ),每一个字符都有一个固定的代码。 CGRAM可定义8个字形 系统总线扩展 8.1 读写 、地址空间分配和地址锁存器 8.2 存储器的扩展外部存储器的扩展 8.3 I/O接口部件的扩展 8.4 8.1.1 总线的扩展 数据总线,P0口 地址总线,高8位P2口、低8位P0口 控制总线,RD、WR、EA、ALE、PSEN 三组总线: 1.地址总线(Adress Bus,简写AB) 2.数据总线(Data Bus,简写DB) 3.控制总线(Control Bus,简写CB) 系统扩展的首要问题: 构造系统总线,然后再往系统总线上“挂”存储器芯片或I/O接口芯片,“挂”存储器芯片就是存储器扩展,“挂”I/O接口芯片就是I/O扩展。 1.以P0口作为低8位地址/数据总线。 2.以P2口的口线作高位地址线。 3.控制信号线。 *使用ALE信号作为低8位地址的锁存控制信号。 *以PSEN信号作为扩展程序存储器的读选通信号。 *以EA信号作为内外程序存储器的选择控制信号。 *由R
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