第二章集成电路中的晶体管及其寄生效应.ppt

第二章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 2.1 理想本征集成双极晶体管的EM模型 npn晶体管的工作状态 根据克希霍夫定律，写出端电流和结电流、结电压的关系： EM模型的理论基础是相邻两个pn结的相互作用 各结电流为： 令Iss=0, 得到三层二结结构的NPN管EM模型 2.2 集成双极晶体管的有源寄生效应 有源寄生：PNP晶体管 可采用外延层掺金工艺，引入深能级杂质，降低少子寿命，从而降低 。掺金工艺是在NPN管集电区掺金（相当于在PNP管基区掺金）掺金的作用，使PNP管基区中高复合中心数增加，少数载流子在基区复合加剧，由于非平衡少数载流子不可能到达集电区从而使寄生PNP管电流放大系数大大降低 NPN管基区侧壁到P+隔离环之间也会形成横向PNP管，必须使NPN管基区外侧和隔离框保持足够距离 2.3集成双极晶体管的无源寄生效应 无源寄生效应： 寄生电阻： 发射极串联电阻；集电极串联电阻，基区电阻 寄生电容： 与PN结有关的耗尽层势垒电容Cj; 与可动载流子在中性区的存储电荷有关的扩散电容CD; 电极引线的延伸电极电容Cpad; 发射极串联电阻rES 由发射极金属和硅的接触电阻rE，C与发射区的体电阻rE，b，组成. rES = rE，C+ rE,b 集电极串联电阻rES rc3也是一个锥体： 减小集电极串联电阻的措施 基区电阻rB 用平均功率法来估算RB1 用计算薄层电阻的公式计算RB2 耗尽层势垒电容Cj (1)利用劳伦斯-沃纳曲线（该曲线是在耗尽层近似和恒定衬底浓度的条件下获得的，只能用来计算反偏的pn结） 劳伦斯-沃纳曲线 (2)查表 对于反偏pn结，作为一级近似，利用公式 突变结： 缓变结： 对于正偏pn结 扩散电容CD 扩散电容反映晶体管内可动少子存储电荷 与所加 偏压的关系。（考虑pn结正偏情况） 减小集电结扩散电容的措施 采用低电阻率的外延层； 减小管芯面积； 将晶体管控制在浅饱和； 采用集电区掺金； 采用非饱和电路结构（ECL） … 考虑寄生效应的晶体管等效电路 双极晶体管的SPICE模型参数 2.4集成电路中的PNP管 （一）横向PNP管 （1）横向PNP管的结构 横向PNP管的特点 BVEBO高，（结深，电阻率高） 放大倍数小（基区宽度大，寄生PNP） 频率响应差 临界电流小 （1）横向PNP管的结构特点 存在纵向PNP的影响 采取措施： 1、图形设计上减少发射区面积与周长比（最合理图形是窄条型）；尽可能使集电区包围发射区 2、在工艺上采用增大结深及采用埋层工艺的办法 （1.1）横向PNP管的直流电流放大倍数 1、横向平均基区宽度不可能做得太小 2、发射极的注入效率低 3、表面复合影响大 比较小 （1.2）横向PNP管的特征频率fT 横向PNP管的有效基区宽度大 埋层的抑制作用，使折回集电极的少子路径增加 空穴的扩散系数只有电子扩散系数的1/3左右 提高横向PNP管的特征频率fT措施 增加结深xjc（是否与工艺兼容） 减小发射区尺寸 提高工艺精度减小等效基区宽度 降低外延层掺杂浓度，提高横向PNP管发射区掺杂浓度（是否与工艺兼容） （1.3）横向PNP管开始发生大注入时的临界电流Icr （2）多集电极横向PNP管 多个PNP管并联使用 （3）横向pnp电流特点 横向PNP管结构提供了一个按对应于发射区侧面的有效集电区侧面积来决定集电极电流分配比的方法 （4）大电流增益的复合PNP管 衬底PNP管 衬底PNP管（可在较大的电流下工作） （二）衬底pnp 衬底PNP管特点： 1、集电区是公共的衬底 2、晶体管的作用发生在纵向，各结面平坦，发射区面积可以做得很大，可以承受大电流，可用增大发射区面积的方法增大临界电流 3、没有有源寄生的影响 4、基区电阻较大（外延层），将BE短接 5、集电极串联电阻和集电结电容较大 （三）自由集电极纵向PNP管 自由集电极纵向PNP管 1、基区宽度难控制 2、工艺步骤较多 3、版图尺寸较大 2.5集成二极管 （一）二极管的构成 晶体管的不同接法得到 单独的PN结扩散得到 二极管的主要参数： 正向压降、动态电阻、电容、存储时间、击穿电压等 （二）集成齐纳二极管和次表面齐纳管 集成齐纳二极管 集成齐纳二极管一般是反向工作的BC短接二极管，Vz=BVEBO 缺点： 具有较大的正温度系数； 内阻较大 Vz的离散性大，Vz的制很难精确控制 输出噪声电压较大 次表面齐纳管 将击穿引入体内 （扩散法） 次表面齐纳管 （离子注入法） 2.6 SBD和SCT （一）SBD（肖