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场效应管概述: 2. MOSFET的工作原理 增强型MOS管特性曲线 MOS管的特性：见P47 四.场效应管工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性（见书p49图） 四.场效应管工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性（见书p49图） 一、场效应管静态工作点的设置方法 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 2.6.3 MOSFET的动态分析 单级或单管MOSFET放大器的三种基本组态： 共源极放大电路CS 共漏极放大电路CD 共栅极放大电路CG 二、场效应管放大电路的动态分析 1．跨导 gm 设MOSFET工作于放大区,定义: 2. 漏极内阻(交流输出电阻)rds 定义: 2.6.3 MOSFET放大电路分析 共源极放大电路 CS----CE 共漏极放大电路 CD----CC 共栅极放大电路 CG----CB 一、 共源极放大器CS 1.共源极电路的基本结构 输出电压 又 因此小信号电压增益为: 2. 基本共源放大电路的动态分析 二、共漏放大器--源极跟随器 MOSFET共漏放大器 2)交流性能分析 输出电压 由KVL，有 因此 小信号源电压增益为: 3. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 三种基本放大器组态的总结与比较 表1 三种MOSFET放大器的特性 §2.7 派生电路 一、复合管 复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。 练习： 交流(小信号)等效电路 共源极电路 2) 共源极放大电路交流分析 场效应管的交流参数和小信号模型 N沟道增强型 MOSFET放大电路的交流小信号模型 等效 交流(小信号)等效电路 共源极电路 2) 共源极放大电路交流分析 输入电阻: 输出电阻: 2)共源极放大电路交流分析 若Rd=3kΩ， Rg=5kΩ， gm=2mS，则 与共射电路比较。 例（2.6.1）电路如侧，若 解：由 1) 直流分析与CS类似; 交流小信号等效电路(画图) MOSFET共漏放大器 交流小信号等效电路 2)交流性能分析（如何变形） .电压增益 又 其中 由上式可见，电压增益Av小于1但接近于1，正的增益意味着输出电压与输入电压同相。 因为输出信号基本上与输入信号相等，所以称该电路为源极跟随器。这一结果与BJT射极跟随器的情况相似。 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则Ro=? 一、复合管 二、派生电路举例 不同类型的管子复合后，其类型决定于T1管。 目的：增大β，减小前级驱动电流，改变管子的类型。 iB方向决定复合管的类型 * * * * * * * * * * 场效应管是继三极管之后发展起来的另一类具有放大作用的半导体器件，其特点是输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单，在集成电路中占有重要地位。 本节讲述场效应管的类型、工作原理、特性等基本知识。 1.4 场效应管 场效应晶体三极管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件，因此得名。 从参与导电的载流子来划分，它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。 按照场效应三极管的结构划分，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管(金属氧化物半导体场效应管)两大类。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 双极型和场效应型三极管的比较 双极型和场效应型三极管的比较(续) 衬底引线 P SiO2 N+ N+ S G D N沟道增强型(重点) P沟道增强型 N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极电位，判断管子的类型。 解