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led芯片知识.doc
LED芯片知识大了解
目 录
一 LED芯片基本知识 2
1、LED芯片的概念 2
2、LED芯片的组成元素 2
3、LED芯片的分类 2
二 LED衬底材料 4
1、LED衬底材料的概念及作用 4
2、LED衬底材料的种类 4
三 LED外延片 6
1、LED外延片生长的概念 6
2、LED外延片衬底材料的种类 6
3、LED外延片的检测 6
一、LED芯片基本知识
1、LED芯片的概念
LED芯片是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的芯片,芯片的一 端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个芯片被环氧树脂封装起来。半导体芯片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。LED芯片为LED的主要原材料,LED主要依靠芯片来发光。
LED芯片是在外延片上的基础上经过下面一系列流
程,最终完成如右图的成品-芯片。
外延片→清洗→镀透明电极层透 (Indium Tin Oxide,ITO)→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→
平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→
SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→
N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→
P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→
芯片→成品测试。 图1 外延片成品示意图
2、LED芯片的组成元素
LED芯片的元素主要为III-V族元素,主要有砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga、)铟(IN)、磷(P)、
氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
3、LED芯片的分类
1)按发光亮度分
一般亮度:R(红色GaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、
Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等
BVG(较亮绿色GaP 565nm、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm、
SR(较亮红色GaA/AS 660nm;
CUG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等
D、不可见光(红外线):R﹑SIR﹑VIR﹑HIR
E、红外线接收管:PT
F、光电管:PD
2)按组成元素分
A、二元晶片(磷﹑镓):H﹑G等
B、三元晶片(磷﹑镓﹑砷):SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色GaAlAs 660nm)
UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等
C(磷﹑铝﹑镓﹑铟):SRF( 较亮红色 AlGalnP )、HRF(超亮红色 AlGalnP)、
URF(最亮红色AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、
HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)、
UYS(最亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、
HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) 等
3)按照制作工艺分
LED芯片分为MB芯片,GB芯片,TS芯片,AS芯片等4种
LED芯片 定义 特点
MB芯片 Metal Bonding
(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品 ① 采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易
② 通过金属层来接合(wafer bonding)磊芯层和衬底,同时反 射光子,避免衬底的吸收
③ 导电的Si衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导 热系数相差3-4倍),更适应于高驱动电流领域
④ 底部金属反射层,有利于光度的提升及散热
⑤ 尺寸可加大,应用于High power 领域
GB芯片 Glue Bonding
(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品 ① 透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底
② 芯片四面发光,具有出色的Pattern图
③ 亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
④ 双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片 TS芯片 transparent structure
(透明衬底)芯片,
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