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LED芯片知识大了解 目 录 一 LED芯片基本知识 2 1、LED芯片的概念 2 2、LED芯片的组成元素 2 3、LED芯片的分类 2 二 LED衬底材料 4 1、LED衬底材料的概念及作用 4 2、LED衬底材料的种类 4 三 LED外延片 6 1、LED外延片生长的概念 6 2、LED外延片衬底材料的种类 6 3、LED外延片的检测 6 一、LED芯片基本知识 1、LED芯片的概念 LED芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的芯片，芯片的一 端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个芯片被环氧树脂封装起来。半导体芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。LED芯片为LED的主要原材料，LED主要依靠芯片来发光。 LED芯片是在外延片上的基础上经过下面一系列流 程，最终完成如右图的成品-芯片。 外延片→清洗→镀透明电极层透 (Indium Tin Oxide，ITO)→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→ 平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→ SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→ N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→ P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→ 芯片→成品测试。 图1 外延片成品示意图 2、LED芯片的组成元素 LED芯片的元素主要为III-V族元素，主要有砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga、)铟(IN)、磷(P)、 氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成。 3、LED芯片的分类 1）按发光亮度分 一般亮度：R(红色GaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、 Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等 BVG(较亮绿色GaP 565nm、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm、 SR(较亮红色GaA/AS 660nm； CUG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等 D、不可见光(红外线)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIR E、红外线接收管：PT F、光电管：PD 2）按组成元素分 A、二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等 B、三元晶片（磷﹑镓﹑砷）：SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色GaAlAs 660nm) UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等 C(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF( 较亮红色 AlGalnP )、HRF(超亮红色 AlGalnP)、 URF(最亮红色AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、 HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)、 UYS(最亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、 HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) 等 3）按照制作工艺分 LED芯片分为MB芯片，GB芯片，TS芯片，AS芯片等4种 LED芯片 定义 特点 MB芯片 Metal Bonding (金属粘着)芯片；该芯片属于UEC的专利产品 ① 采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易 ② 通过金属层来接合(wafer bonding)磊芯层和衬底,同时反 射光子,避免衬底的吸收 ③ 导电的Si衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导 热系数相差3-4倍),更适应于高驱动电流领域 ④ 底部金属反射层,有利于光度的提升及散热 ⑤ 尺寸可加大,应用于High power 领域 GB芯片 Glue Bonding (粘着结合)芯片；该芯片属于UEC的专利产品 ① 透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底 ② 芯片四面发光,具有出色的Pattern图 ③ 亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil) ④ 双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片 TS芯片 transparent structure (透明衬底)芯片，