微磨料水射流抛光硅片的实验研究.pdfVIP

第9期 李志荣 等：微磨料水射流抛光硅片的实验研究 ·49 · 图2为磨料水射流抛光的工艺流程图。 磨粒和抛光液的质量比定为 1：2，1：3，1：4，1：5。 靶距是指喷嘴小孔与硅片表面之间的直线距离， — 睡 料 耵 帅 — 舢 — 珈 ¨1五 l 一 ～ ～ 经测试靶距为4—16mm时抛光效果最佳 ，此次实验 选用靶距参数为4，8，12，16mm。 图2 磨料水射流抛光工艺流程图 2．2 正交试验表的建立 1．2 实验的制备过程 由此，得出微磨料水射流抛光硅片实验应考虑的 实验中，磨料选为8O目的石榴石 ，磨粒粒径选 4个影响因素 ，即射流压力 、喷射角度、磨粒浓度和 为0．15～0．2mm，在抛光试验中，射流喷嘴与靶件 靶距。为了分析方便，把影响抛光的这四个因素定义 成一定夹角和速度运动，硅片固定不动。抛光后的表 为A、B、C、D，每个因素的变化考虑 3个水平。抛 面质量采用TR200型粗糙度仪测试。 光实验因素水平表如表 1所示。 2 正交试验设计 表 1 磨料水射流抛光实验正交因素水平表 2．1 正交试验因素及水平评定 射流压力／MPa喷射角度／(。)磨料浓度 靶距／mm 囚糸 A B C D 影响工件表面抛光的工艺参数有很多 ，为了得到 微磨料水射流参数对硅片抛光表面效果的影响，仅对 射流压力 、喷射角度 、磨粒浓度和靶距4个主要工艺 参数进行抛光实验研究 。 射流压力直接决定着工件表面磨削力的大小。针 对此次试验，经预先测试 ，压力在2～5MPa去除材 由此 ，为得到抛光原型时较好的工艺组合，采用 料最佳 ，此次实验选取射流压力参数为 2，3，4， 正交实验方法进行实验 ，选用 L (4)表。根据 5MPa。 L (4)的正交试验表 ，建立的磨料水射流抛光实 喷射角度又叫入射角或攻角，它决定着加工后硅 验的正交表如表2所示。 片表面平整度，夹角变化范围为0。～90。。此次试验 为清楚地考察各个因素之间的相互影响关系，实 选择的喷射角度参数分为30。，45。，60。，90。。 验时，将抛光前与抛光后 的硅片表面用TR200型粗 磨粒浓度是磨粒在抛光液中占的比例的多少 ，此 糙度测量仪分别测量 ，并分组记录。实验结果如表2 次试验磨粒的直径在0．5—2mm之间，试验时射流中 所示 。 表2 磨料水射流抛光实验正交试验结果 · 50 · 机床与液压 第41卷 3 试验结果分析 糙度逐渐趋于平稳。原因 实验结果如表3所示：记 ．是对应于表 1中第 是：在一 定的范 围内，由 一 列中 “1”水平的4个试验结果之和， 为其除以 于压力 的增大 ，射流给磨 4后得到的平均数，即k：M ／4；定义极差尺为 ，、 粒提供足够的能量使冲击 、 k、k 中最大的一个数减去最小的一个数之差。 力显著增强 ，但每增加一 以此类推得到第2列 ，第3列，第4列，第5列 。