SiC陶瓷非球面磨削工艺实验研究.pdfVIP

2012年 10月 第 5期 金刚石与磨料磨具工程 Oct.2012 第 32卷 总第 191期 DiamondAbrasi�esEngineeringNo.5Vol.32Serial191 SiC陶瓷非球面磨 削工艺实验研 究* 李春慧 ， 栾殿荣， 刘立飞， 张飞虎， 陈 江 ， 张 勇 ( ， 150001) 哈尔滨工业大学机 电工程学院 哈尔滨 摘要 为 了研 究磨 削工艺参数对 SiC材料磨削质量 的影 响规律，利用 DMG铣磨加工 中心做了 SiC陶瓷平 面磨 削工艺实验，分析研 究了包括主轴转速�磨削深度�进给速度在 内的磨 削工艺参数对工件表面粗糙度 � : ， 的影 响 结果表明 工件表面粗糙度随着主轴转速的增加而减小 随着磨 削深度和进给速度 的增加而增 � ， ， SiC 加 在粗糙度工艺试验 的基础上 以表面粗糙度最小为 目标优选一组磨 削工艺参数 进行 了小 口径 陶瓷非球面磨 削实验，获得了较低 的表面粗糙度值( 0.5150�m) 和较小的面形精度误差( 4.668�m) � 关键词 SiC; 磨削; 表面粗糙度; 面形误差 TG74; TG58A1006-852X( 2012) 05-0035-04 中图分类号 文献标志码 文章编号 E��������������������������������������������C����������������� LIC���-���， L�AND���-����， LI�L�-���， �HANGF��-��， CHENJ����， �HANG���� ( S�������M������������E���������E����������，H�����I����������T���������，H�����150001，C����) A�������Inordertostud�theeffectsofgrindingparametersonsurfacequalit�ofSiCmaterial，theeffectsof differentparametersincludingspindlespeed，grindingdepthandfeedrateonsurfaceroughness�ereanal��ed throughplanegrindinge�perimentsonDMGmillgrindingcenter.Thee�perimentalresultsre�ealedthat，the surfaceroughnessdecreased�iththeincreaseofspindlespeed，andincreased�iththeincreaseofgrinding depthandfeedrate.Agroupofoptimalgrindingparameter�aschosenfortheasphericalgrindinge�periment， �ithbettersurfaceroughness( 0.5150�m) andsurfaceshapeaccurac�( 4.668�m) obtained. K�������SiC; grinding; surfaceroughness; surfaceshapeerror 在现代高科技领域 的光学 电子技术 中，光学元件 术难题� 是必不可少的，特别是非球面光学元件�与球面光学 碳化硅材料具有较高 的弹性模量，适中的密度 ，较 ， ， ，