宝石级金刚石单晶生长机制的研究——低速生长条件下的晶体生长特性.pdfVIP

维普资讯 2O04年 4月 金刚石与磨料磨具工程 Apr．2OO4 总第 140期 第 2期 Diamond＆ AbrasivesEngineering Seria1．140 No．2 文章编号：1006—852X(2004)02—0014—03 宝石级金刚石单晶生长机制的研究 — — 低速生长条件下的晶体生长特性 STUDY oN GEM —DL oND—GRo、7I，】0NG ⅣmCHANISM — — GR0Ⅵ，ING CHARACTERISTICSATLOW GROWTH RATE 臧传义 贾晓鹏 任国仲 望贤成 (1．焦作工学院，焦作 454000) (2．吉林大学超硬材料国家重点实验室，长春 130023) ZangChuanyi’ JiaXiaopeng’ RenGuozhon~ WangXianchen~ (1． InstituteofTechnology，Jiaozuo454000，China) (2．KeyNationalLabforSuperhardMaterials，JilinUniversity，Changchun130023，hCina) 摘要：高温高压温差法生长优质宝石级金刚石单晶要求严格控制晶体的生长速度，因为晶体生长速度过快会导致熔 体金属来不及扩散从而在晶体中产生包裹体，影响晶体的质量。本文考察了低速生长条件下宝石级金刚石单晶的生长 情况，结果发现，在以{100}面作为晶种的生长面的情况下 ，无论合成温度高低，低速生长 (本文中为0．40mg／h)出的晶体 中均不存在金属包裹体，这与 日本住友公司早期的结果有所不同。 关键词：高温高压温度差法；金属包裹体；低速生长；宝石级 中图分类号：TQ164 文献标识码：A Abstract：Forthegrowthofhigh-qualitylargediamondcrystalsbytemperaturegradientmethod(TGM)underhishpressureand llihgtemperature(HPHT)，aslownadcontrolledgrowingprocessisnceessarytoavoidtheformingofmetalinclusionsinhtegrowing diamondcrystals．Inthispaper，htecrystal-growingcharacteristicsun deralowergrowthratealeinvestigated．Itisfoundthat，when growinggemdiamondatalowgrowthrate(in0111work，htegrowthrateis0．38mg／h)，nadwithhte{100}seedsurfaceashtegrowing surface，hterewouldbenoformingofmetalinclusioningrowndiamondsinspiteofhteinfluenceofhtesynhtesistemperature．I11is conclusionisdifferentfrom theearlierconclusionmadebyofSumitomoElectricCorporationinJapna ． Keywords：TGM HPHT；metalinclusions；lowergrowthrate；gem-diamond